IRFP4227PBF
у наявності 46 шт:
25 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 105 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4227PBF IR
- MOSFET, N, 200V, TO-247
- Transistor Polarity:N
- Max Current Id:65A
- Max Voltage Vds:200V
- On State Resistance:25ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:30V
- Power Dissipation:330W
- Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
- Transistor Case Style:TO-247
- SVHC:No SVHC
- Case Style:TO-247
- Cont Current Id:65A
- Cont Current Id @ 100`C:46A
- Cont Current Id @ 25`C:65A
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:260A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:240V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Voltage Vds:200V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Rth:0.45
Інші пропозиції IRFP4227PBF за ціною від 104.18 грн до 362.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 6224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC Case: TO247AC Kind of package: tube Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 70nC Mounting: THT |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 1591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg |
на замовлення 4567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC Case: TO247AC Kind of package: tube Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 70nC Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 99 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRFP90N20DPBF Код товару: 23066 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 94 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 94 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 185 грн |
10+ | 173 грн |
330uF 63V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR331M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 38816 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 261 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7.5 грн |
10+ | 6.8 грн |
100+ | 6.2 грн |
SS16 Код товару: 160670 |
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA-W
Зворотня напруга, Vrrm: 60 V
Прямий струм (per leg), If: 1 А
Падіння напруги, Vf: 0,7 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA-W
Зворотня напруга, Vrrm: 60 V
Прямий струм (per leg), If: 1 А
Падіння напруги, Vf: 0,7 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
у наявності: 1431 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 0.9 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.7 грн |
BD912 Код товару: 2464 |
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 3 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 250
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 3 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 250
у наявності: 364 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 34 грн |
10+ | 30.6 грн |
100+ | 27.2 грн |
1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2455 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
товар відсутній