
IRFP4227PBF
у наявності 41 шт:
28 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 105.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4227PBF IR
- MOSFET, N, 200V, TO-247
- Transistor Polarity:N
- Max Current Id:65A
- Max Voltage Vds:200V
- On State Resistance:25ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:30V
- Power Dissipation:330W
- Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
- Transistor Case Style:TO-247
- SVHC:No SVHC
- Case Style:TO-247
- Cont Current Id:65A
- Cont Current Id @ 100`C:46A
- Cont Current Id @ 25`C:65A
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:260A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:240V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Voltage Vds:200V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Rth:0.45
Інші пропозиції IRFP4227PBF за ціною від 115.38 грн до 420.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP4227PBF |
![]() |
на замовлення 99 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFP4227PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRFP90N20DPBF Код товару: 23066
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 94 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 94 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
37 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 185.00 грн |
10+ | 173.00 грн |
IRFP260NPBF Код товару: 47253
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
у наявності: 66 шт
21 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 162.00 грн |
10+ | 150.70 грн |
SS16 Код товару: 160670
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA-W
Зворотня напруга, Vrrm: 60 V
Прямий струм (per leg), If: 1 А
Падіння напруги, Vf: 0,7 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA-W
Зворотня напруга, Vrrm: 60 V
Прямий струм (per leg), If: 1 А
Падіння напруги, Vf: 0,7 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10.00 грн |
10+ | 1.00 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.70 грн |
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R1 – Hitano) Код товару: 3427
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,1 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,1 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1481 шт
981 шт - склад
500 шт - РАДІОМАГ-Київ
500 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 2.30 грн |
100+ | 2.00 грн |
1000+ | 1.80 грн |
IRF540NPBF Код товару: 3289
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1040 шт
954 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
30 шт
30 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 35.00 грн |
10+ | 31.50 грн |
100+ | 27.90 грн |