Інші пропозиції IRFP7530PBF за ціною від 100.09 грн до 342.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 281A Power dissipation: 341W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO247 |
на замовлення 1862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP7530PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 169.19 грн |
| 800+ | 168.76 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 169.62 грн |
| 800+ | 169.18 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 188+ | 188.58 грн |
| 500+ | 177.97 грн |
| 1000+ | 168.54 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 188+ | 188.58 грн |
| 500+ | 177.97 грн |
| 1000+ | 168.54 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 71+ | 201.61 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.13 грн |
| 10+ | 173.07 грн |
| 25+ | 141.68 грн |
| 50+ | 138.29 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO247
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO247
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 314.12 грн |
| 10+ | 132.12 грн |
| 100+ | 106.43 грн |
| 400+ | 100.09 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 314.20 грн |
| 48+ | 300.70 грн |
| 50+ | 289.24 грн |
| 100+ | 269.45 грн |
| 250+ | 241.92 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 325.10 грн |
| 25+ | 178.37 грн |
| 100+ | 146.21 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 341.25 грн |
| 10+ | 195.71 грн |
| 100+ | 160.35 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 342.23 грн |
| 66+ | 215.60 грн |
| 100+ | 183.06 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







