IRFR9024NTRPBF

IRFR9024NTRPBF


irfr9024npbf.pdf
Код товару: 23070
Виробник: IR
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності 1818 шт:

1532 шт - склад
115 шт - РАДІОМАГ-Київ
75 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
94 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-11A
  • Drain Source Voltage, Vds:-55V
  • On Resistance, Rds(on):175mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:38W

Інші пропозиції IRFR9024NTRPBF за ціною від 14.05 грн до 92.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 262000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 262000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.71 грн
4000+26.90 грн
10000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.96 грн
500+33.25 грн
1000+27.96 грн
5000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 61696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+61.10 грн
500+25.45 грн
1000+24.96 грн
2000+23.98 грн
4000+21.84 грн
8000+19.26 грн
16000+18.33 грн
32000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C5734E15E6F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9024npbf.pdf?ci_sign=f830b8b3a8fac721b0bcde7213ec6a984f1207a9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.42 грн
10+44.60 грн
100+31.09 грн
200+27.97 грн
500+24.38 грн
1000+21.98 грн
2000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C5734E15E6F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9024npbf.pdf?ci_sign=f830b8b3a8fac721b0bcde7213ec6a984f1207a9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.50 грн
10+55.58 грн
100+37.31 грн
200+33.57 грн
500+29.25 грн
1000+26.38 грн
2000+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
на замовлення 9557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.68 грн
10+57.18 грн
100+34.91 грн
500+27.16 грн
1000+24.71 грн
2000+20.41 грн
4000+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.30 грн
10+55.23 грн
100+36.45 грн
500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.10 грн
14+63.27 грн
100+45.96 грн
500+33.25 грн
1000+27.96 грн
5000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 978 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr9024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

20 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 11243
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_20150401_1.pdf
20 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 21805 шт
19800 шт - склад
1305 шт - РАДІОМАГ-Київ
700 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
200+0.20 грн
1000+0.15 грн
10000+0.12 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Код товару: 60735
Додати до обраних Обраний товар

yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 19165 шт
17337 шт - склад
1254 шт - РАДІОМАГ-Київ
224 шт - РАДІОМАГ-Харків
350 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 80000 шт
80000 шт - очікується 06.12.2025
Кількість Ціна
40+1.00 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
10000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SS14
Код товару: 1577
Додати до обраних Обраний товар

SS14.pdf
SS14
Виробник: YJ/MIC/Toshiba
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
у наявності: 12669 шт
10698 шт - склад
606 шт - РАДІОМАГ-Київ
418 шт - РАДІОМАГ-Львів
789 шт - РАДІОМАГ-Харків
158 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+2.00 грн
27+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 172071 шт
154300 шт - склад
5571 шт - РАДІОМАГ-Київ
4100 шт - РАДІОМАГ-Львів
5000 шт - РАДІОМАГ-Харків
3100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
300+0.15 грн
1000+0.12 грн
10000+0.09 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148
Код товару: 2413
Додати до обраних Обраний товар

LL4148-D.PDF
LL4148
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 55918 шт
47135 шт - склад
1924 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
580 шт - РАДІОМАГ-Харків
3818 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
40+1.00 грн
80+0.50 грн
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.