Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF

IRFR9024NTRPBF

irfr9024npbf.pdf
Код товару: 23070
5 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 1033 шт
  • 914 шт - склад
  • 57 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-11A
  • Drain Source Voltage, Vds:-55V
  • On Resistance, Rds(on):175mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:38W

Інші пропозиції IRFR9024NTRPBF за ціною від 15.58 грн до 102.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 57700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.77 грн
4000+24.70 грн
6000+23.66 грн
10000+21.11 грн
14000+20.46 грн
20000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.96 грн
4000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.96 грн
4000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.56 грн
4000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.78 грн
4000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
774+45.63 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.21 грн
10+53.47 грн
100+34.89 грн
200+31.13 грн
500+27.11 грн
1000+24.60 грн
2000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.29 грн
11+69.08 грн
100+52.63 грн
500+40.52 грн
1000+34.05 грн
2000+29.19 грн
4000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.29 грн
205+69.08 грн
269+52.63 грн
500+40.52 грн
1000+34.05 грн
2000+29.19 грн
4000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 57779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.45 грн
10+61.83 грн
100+41.01 грн
500+30.08 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 13514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
на замовлення 17316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 13514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF International Rectifier/Infineon irfr9024npbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 608 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 57700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.77 грн
4000+24.70 грн
6000+23.66 грн
10000+21.11 грн
14000+20.46 грн
20000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+34.96 грн
4000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+34.96 грн
4000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+35.56 грн
4000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+35.78 грн
4000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
774+45.63 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.21 грн
10+53.47 грн
100+34.89 грн
200+31.13 грн
500+27.11 грн
1000+24.60 грн
2000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+102.29 грн
11+69.08 грн
100+52.63 грн
500+40.52 грн
1000+34.05 грн
2000+29.19 грн
4000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
138+102.29 грн
205+69.08 грн
269+52.63 грн
500+40.52 грн
1000+34.05 грн
2000+29.19 грн
4000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 57779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.45 грн
10+61.83 грн
100+41.01 грн
500+30.08 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 13514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
на замовлення 17316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 13514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 608 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFR024NTRPBF
Код товару: 42276
Додати до обраних Обраний товар
description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 115 шт
  • 37 шт - склад
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 20 шт
  • 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF
Код товару: 22061
4 Додати до обраних Обраний товар
description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2700 шт
  • 2545 шт - склад
  • 56 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+12.50 грн
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 15874 шт
  • 7617 шт - склад
  • 3990 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 767 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 148000 шт
  • 148000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007-SMD M7 DO214AC (2000 шт./b.)
Код товару: 73458
8 Додати до обраних Обраний товар
K5019012205.pdf
1N4007-SMD M7 DO214AC (2000 шт./b.)
Виробник: Toshiba
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-214AC
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Може замінити: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 В
на замовлення: 1980 шт
  • 1980 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5 kOhm 3362U (KLS4-3362U-502)
Код товару: 151289
Додати до обраних Обраний товар
kls4-3362w-datasheet.pdf
5 kOhm 3362U (KLS4-3362U-502)
Виробник: KLS
Підстроювальні резистори > Вивідні
Номінал: 5 кОм
Серія: 3362U
Опис: настроювальний, горизонтальний вивід (регулювання зверху), крок 2,5 mm
Габарити: 7,1x6,9x4,8 мм (W, L, H)
Тип монтажу: Горизонтальний
Потужність: 0,5 Вт
Механізм роботи: Однооборотний
у наявності: 119 шт
  • 39 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.