Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF

IRFR9024NTRPBF

irfr9024npbf.pdf
Код товару: 23070
5 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Id, A: 11 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 1091 шт
  • 954 шт - склад
  • 72 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-11A
  • Drain Source Voltage, Vds:-55V
  • On Resistance, Rds(on):175mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:38W

Інші пропозиції IRFR9024NTRPBF за ціною від 15.58 грн до 106.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.83 грн
4000+24.75 грн
6000+23.71 грн
10000+21.16 грн
14000+20.50 грн
20000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.84 грн
4000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.84 грн
4000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.44 грн
4000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.62 грн
4000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
851+41.56 грн
1000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 851 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 13588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.00 грн
500+30.80 грн
1000+26.48 грн
5000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.35 грн
277+51.08 грн
500+39.74 грн
1000+34.86 грн
2000+28.47 грн
4000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.41 грн
10+53.59 грн
100+34.97 грн
200+31.20 грн
500+27.17 грн
1000+24.66 грн
2000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 58231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+61.97 грн
100+41.11 грн
500+30.15 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 13588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.48 грн
13+66.00 грн
100+43.00 грн
500+30.80 грн
1000+26.48 грн
5000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
на замовлення 18045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF International Rectifier/Infineon irfr9024npbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 608 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.83 грн
4000+24.75 грн
6000+23.71 грн
10000+21.16 грн
14000+20.50 грн
20000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+30.84 грн
4000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+30.84 грн
4000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.44 грн
4000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.62 грн
4000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
851+41.56 грн
1000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 851 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 13588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+43.00 грн
500+30.80 грн
1000+26.48 грн
5000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+77.35 грн
277+51.08 грн
500+39.74 грн
1000+34.86 грн
2000+28.47 грн
4000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.41 грн
10+53.59 грн
100+34.97 грн
200+31.20 грн
500+27.17 грн
1000+24.66 грн
2000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 58231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.68 грн
10+61.97 грн
100+41.11 грн
500+30.15 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 13588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+106.48 грн
13+66.00 грн
100+43.00 грн
500+30.80 грн
1000+26.48 грн
5000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
на замовлення 18045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 608 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFR024NTRPBF
Код товару: 42276
Додати до обраних Обраний товар
description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 16 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 115 шт
  • 37 шт - склад
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 50289 шт
  • 47667 шт - склад
  • 2567 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF
Код товару: 22061
4 Додати до обраних Обраний товар
description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2874 шт
  • 2757 шт - склад
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+12.50 грн
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K4471FT-KOME) (резистор SMD)
Код товару: 39597
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
4,7 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K4471FT-KOME) (резистор SMD)
Виробник: KOME
SMD резистори > 0603
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб, V: 50 V
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.20 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Код товару: 60735
2 Додати до обраних Обраний товар
yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 116273 шт
  • 107084 шт - склад
  • 3074 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1440 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3920 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 755 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
10000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.