IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
Виробник: IRКорпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності 669 шт:
583 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16.5 грн |
10+ | 14.9 грн |
100+ | 13.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9024NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:-11A
- Drain Source Voltage, Vds:-55V
- On Resistance, Rds(on):175mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
- Power Dissipation, Pd:38W
Інші пропозиції IRFR9024NTRPBF за ціною від 11.89 грн до 70.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 64712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 17450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC |
на замовлення 46817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 25760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17450 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK |
на замовлення 978 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK=TO-252AA |
на замовлення 14 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
PLS-40 штирі на плату 3x6x11,5mm (KLS1-207-1-40-S - KLS) Код товару: 72296 |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5 грн |
100+ | 4.2 грн |
1000+ | 3.6 грн |
IRLML9301TRPBF Код товару: 34218 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 446 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 4.7 грн |
100+ | 3.8 грн |
IRFR024NTRPBF Код товару: 42276 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 279 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24 грн |
10+ | 21.6 грн |
100+ | 18.9 грн |
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735 |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 80794 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544 |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 57263 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |