IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
Виробник: IRКорпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності 1925 шт:
1606 шт - склад
145 шт - РАДІОМАГ-Київ
75 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
97 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 16.50 грн |
| 10+ | 14.90 грн |
| 100+ | 13.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9024NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:-11A
- Drain Source Voltage, Vds:-55V
- On Resistance, Rds(on):175mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
- Power Dissipation, Pd:38W
Інші пропозиції IRFR9024NTRPBF за ціною від 13.83 грн до 90.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 61696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 9305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC |
на замовлення 10151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFR9024NTRPBF |
MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK |
на замовлення 63 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRFR9024NTRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK |
на замовлення 978 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 20 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 11243
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 22105 шт
20000 шт - склад
1405 шт - РАДІОМАГ-Київ
700 шт - РАДІОМАГ-Львів
1405 шт - РАДІОМАГ-Київ
700 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.15 грн |
| 10000+ | 0.12 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 24620 шт
22972 шт - склад
1374 шт - РАДІОМАГ-Київ
274 шт - РАДІОМАГ-Харків
1374 шт - РАДІОМАГ-Київ
274 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
80500 шт
500 шт - очікується
80000 шт - очікується 06.12.2025
80000 шт - очікується 06.12.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.45 грн |
| SS14 Код товару: 1577
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/MIC/Toshiba
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
у наявності: 14375 шт
12142 шт - склад
706 шт - РАДІОМАГ-Київ
418 шт - РАДІОМАГ-Львів
801 шт - РАДІОМАГ-Харків
308 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
706 шт - РАДІОМАГ-Київ
418 шт - РАДІОМАГ-Львів
801 шт - РАДІОМАГ-Харків
308 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
очікується:
200000 шт
200000 шт - очікується 28.11.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.15 грн |
| 1000+ | 0.12 грн |
| 10000+ | 0.09 грн |
| LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 57198 шт
48075 шт - склад
1934 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
690 шт - РАДІОМАГ-Харків
4038 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1934 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
690 шт - РАДІОМАГ-Харків
4038 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |









