IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
5
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності 1111 шт:
974 шт - склад
72 шт - РАДІОМАГ-Київ
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 16.50 грн |
| 10+ | 14.90 грн |
| 100+ | 13.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9024NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:-11A
- Drain Source Voltage, Vds:-55V
- On Resistance, Rds(on):175mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
- Power Dissipation, Pd:38W
Інші пропозиції IRFR9024NTRPBF за ціною від 15.58 грн до 117.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 224000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 224000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 122000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC |
на замовлення 20982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 57496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 49193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFR9024NTRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шкількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 608 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRFR9024NTRPBF |
MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK |
на замовлення 63 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
| IRFR024NTRPBF Код товару: 42276
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 134 шт
54 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24.00 грн |
| 10+ | 21.60 грн |
| 100+ | 18.90 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 42147
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 74244 шт
71362 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
2567 шт - РАДІОМАГ-Львів
265 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
2567 шт - РАДІОМАГ-Львів
265 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 10000+ | 0.40 грн |
| IRLR024NTRPBF Код товару: 22061
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3324 шт
3207 шт - склад
58 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
58 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
50 шт
50 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.90 грн |
| 4,7 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K4471FT-KOME) (резистор SMD) Код товару: 39597
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KOME
SMD резистори > 0603
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 125721 шт
115822 шт - склад
3414 шт - РАДІОМАГ-Київ
1460 шт - РАДІОМАГ-Львів
3960 шт - РАДІОМАГ-Харків
1065 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3414 шт - РАДІОМАГ-Київ
1460 шт - РАДІОМАГ-Львів
3960 шт - РАДІОМАГ-Харків
1065 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.45 грн |








