IRLR024NTRPBF
Код товару: 22061
4
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2874 шт
- 2757 шт - склад
- 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR024NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- Continuous Drain Current, Id:17A
- On Resistance, Rds(on):65mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:DPAK
Інші пропозиції IRLR024NTRPBF за ціною від 13.42 грн до 97.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 512000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 512000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 11403 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 41463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC |
на замовлення 19193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR024NTRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шткількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 19.18 грн |
| 4000+ | 16.95 грн |
| 6000+ | 16.18 грн |
| 10000+ | 14.37 грн |
| 14000+ | 13.89 грн |
| 20000+ | 13.42 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 24.79 грн |
| 4000+ | 22.95 грн |
| 6000+ | 20.26 грн |
| 10000+ | 19.33 грн |
| 14000+ | 17.71 грн |
| 20000+ | 16.08 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 24.79 грн |
| 4000+ | 22.95 грн |
| 6000+ | 20.26 грн |
| 10000+ | 19.33 грн |
| 14000+ | 17.71 грн |
| 20000+ | 16.08 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 512000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 25.21 грн |
| 4000+ | 23.34 грн |
| 6000+ | 20.60 грн |
| 10000+ | 19.67 грн |
| 14000+ | 18.02 грн |
| 20000+ | 16.35 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 512000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 25.35 грн |
| 4000+ | 23.47 грн |
| 6000+ | 20.72 грн |
| 10000+ | 19.78 грн |
| 14000+ | 18.12 грн |
| 20000+ | 16.44 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 74.11 грн |
| 8+ | 54.06 грн |
| 10+ | 45.27 грн |
| 25+ | 34.49 грн |
| 50+ | 28.19 грн |
| 100+ | 23.63 грн |
| 125+ | 22.47 грн |
| 500+ | 17.99 грн |
| 1000+ | 17.00 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 41463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.39 грн |
| 10+ | 44.47 грн |
| 100+ | 29.06 грн |
| 500+ | 21.04 грн |
| 1000+ | 19.02 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 78.98 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 81.45 грн |
| 15+ | 52.15 грн |
| 100+ | 38.75 грн |
| 500+ | 30.26 грн |
| 1000+ | 25.56 грн |
| 2000+ | 21.26 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 174+ | 81.45 грн |
| 272+ | 52.15 грн |
| 365+ | 38.75 грн |
| 500+ | 30.26 грн |
| 1000+ | 25.56 грн |
| 2000+ | 21.26 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.78 грн |
| 14+ | 57.43 грн |
| 100+ | 41.13 грн |
| 500+ | 31.47 грн |
| 1000+ | 26.39 грн |
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
на замовлення 19193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 18.17 грн |
| 150+ | 15.58 грн |
З цим товаром купують
| ATtiny13A-SSU Код товару: 36096
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 JEDEC
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 V
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
УКТЗЕД: 8542319000
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 JEDEC
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 V
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
УКТЗЕД: 8542319000
у наявності: 80 шт
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 51 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 11 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 52.00 грн |
| 10+ | 47.00 грн |
| 100+ | 42.50 грн |
| 1000+ | 37.90 грн |
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 5,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 5,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2846 шт
- 974 шт - склад
- 932 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 480 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 460 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2210
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,25 W
Uроб, V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,25 W
Uроб, V: 200 V
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| IRFR9024NTRPBF Код товару: 23070
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Id, A: 11 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Id, A: 11 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 1076 шт
- 954 шт - склад
- 57 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 22 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.50 грн |
| 10+ | 14.90 грн |
| 100+ | 13.40 грн |
| PLS-40 штирі на плату 3x6x11,5mm (KLS1-207-1-40-S - KLS) Код товару: 72296
19
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
товару немає в наявності
очікується: 30020 шт
- 20 шт - очікується
- 30000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.00 грн |
| 100+ | 4.20 грн |
| 1000+ | 3.60 грн |













