Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR024NTRPBF
IRLR024NTRPBF

IRLR024NTRPBF

infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
Код товару: 22061
5 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2341 шт
  • 2244 шт - склад
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+12.50 грн
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • On Resistance, Rds(on):65mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:DPAK

Інші пропозиції IRLR024NTRPBF за ціною від 14.36 грн до 78.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+40.15 грн
406+35.13 грн
410+34.78 грн
500+27.50 грн
1000+21.29 грн
3000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 4107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.33 грн
10+40.11 грн
50+29.55 грн
100+24.51 грн
500+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 11055 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.41 грн
8+51.58 грн
10+44.65 грн
50+31.44 грн
62+15.35 грн
170+14.52 грн
6000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.33 грн
15+50.92 грн
25+40.15 грн
100+33.88 грн
250+31.05 грн
500+24.45 грн
1000+20.44 грн
3000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
на замовлення 45237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF International Rectifier/Infineon irlr024npbf.pdf description N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
75+18.17 грн
150+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
355+40.15 грн
406+35.13 грн
410+34.78 грн
500+27.50 грн
1000+21.29 грн
3000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 4107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.33 грн
10+40.11 грн
50+29.55 грн
100+24.51 грн
500+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 11055 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+73.41 грн
8+51.58 грн
10+44.65 грн
50+31.44 грн
62+15.35 грн
170+14.52 грн
6000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+75.33 грн
15+50.92 грн
25+40.15 грн
100+33.88 грн
250+31.05 грн
500+24.45 грн
1000+20.44 грн
3000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
на замовлення 45237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+18.17 грн
150+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

ATtiny13A-SSU
Код товару: 36096
10 Додати до обраних Обраний товар
description attiny13a-ssu.pdf
ATtiny13A-SSU
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 JEDEC
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 1K байт внутрішньосистемно програмована Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
у наявності: 1777 шт
  • 1768 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+52.00 грн
10+47.00 грн
100+42.50 грн
1000+37.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF
Код товару: 37076
7 Додати до обраних Обраний товар
irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 12651 шт
  • 10565 шт - склад
  • 935 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 370 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 400 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 381 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 60 шт
  • 60 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Макетна плата 5x7 двостороння, зелена
Код товару: 144388
20 Додати до обраних Обраний товар
Макетна плата 5x7 двостороння, зеленаМакетна плата 5x7 двостороння, зелена
Макетна плата 5x7 двостороння, зеленаМакетна плата 5x7 двостороння, зелена
Виробник: Global Tone
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 50x70 мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
у наявності: 994 шт
  • 860 шт - склад
  • 102 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2180 шт
  • 1000 шт - очікується 14.01.2027
  • 1000 шт - очікується 15.03.2027
  • 180 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2210
1 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується: 50000 шт
  • 50000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
6 Додати до обраних Обраний товар
description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 694 шт
  • 588 шт - склад
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.