IRLR024NTRPBF
Код товару: 22061
Виробник: IRКорпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 3778 шт:
3731 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 100 шт:
100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 15.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR024NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- Continuous Drain Current, Id:17A
- On Resistance, Rds(on):65mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:DPAK
Інші пропозиції IRLR024NTRPBF за ціною від 12.60 грн до 80.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 122000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 35180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 35180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC |
на замовлення 23677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLR024NTRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
DPAK=TO-252 |
на замовлення 350 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRLR024NTRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Udss, В = 55; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25; Qg, нКл = 15; Rds = 65 мОм; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 5 В; DPAK |
на замовлення 520 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRLR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| ATtiny13A-SSU Код товару: 36096
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 JEDEC
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 V
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 JEDEC
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 V
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
у наявності: 819 шт
635 шт - склад
75 шт - РАДІОМАГ-Київ
58 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
75 шт - РАДІОМАГ-Київ
58 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 52.00 грн |
| 10+ | 45.00 грн |
| 100+ | 39.00 грн |
| 1000+ | 34.00 грн |
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10602 шт
10339 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
143 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
143 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 3.50 грн |
| 17+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 42147
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 68997 шт
58465 шт - склад
5830 шт - РАДІОМАГ-Київ
3227 шт - РАДІОМАГ-Львів
1475 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5830 шт - РАДІОМАГ-Київ
3227 шт - РАДІОМАГ-Львів
1475 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 10000+ | 0.40 грн |
| PLS-40 штирі на плату 3x6x11,5mm (KLS1-207-1-40-S - KLS) Код товару: 72296
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
у наявності: 495 шт
205 шт - склад
68 шт - РАДІОМАГ-Київ
150 шт - РАДІОМАГ-Львів
72 шт - РАДІОМАГ-Харків
68 шт - РАДІОМАГ-Київ
150 шт - РАДІОМАГ-Львів
72 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
15000 шт
15000 шт - очікується 20.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.00 грн |
| 100+ | 4.20 грн |
| 1000+ | 3.60 грн |
| 10 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3693
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
очікується:
100000 шт
100000 шт - очікується 30.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |










