
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 54.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU430APBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU430APBF за ціною від 13.00 грн до 173.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU430APBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU430APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU430APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU430APBF (транзистор) Код товару: 52948
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
![]() Корпус: TO-251 Uds,V: 500 V Idd,A: 3,2 A Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 490/24 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFU430APBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFU430APBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IRFU430APBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251 Mounting: THT Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A On-state resistance: 1.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 20A Case: IPAK; TO251 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRFU430APBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251 Mounting: THT Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A On-state resistance: 1.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 20A Case: IPAK; TO251 |
товару немає в наявності |