Продукція > VISHAY > IRFU430APBF
IRFU430APBF

IRFU430APBF Vishay

sihfr430.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+60.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU430APBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFU430APBF за ціною від 40.00 грн до 191.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU430APBF IRFU430APBF Виробник : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF IRFU430APBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr430.pdf MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.67 грн
10+123.54 грн
100+81.33 грн
500+66.68 грн
1000+61.31 грн
3000+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF IRFU430APBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr430.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.73 грн
10+119.41 грн
100+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF (транзистор) IRFU430APBF (транзистор)
Код товару: 52948
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Vishay datasheetd789e6b8e75d78ede.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 500 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 490/24
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF IRFU430APBF Виробник : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF IRFU430APBF Виробник : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF Виробник : VISHAY sihfr430.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 1.7Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.