Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLB8721PBF
IRLB8721PBF

IRLB8721PBF Infineon Technologies

irlb8721pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLB8721PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLB8721PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLB8721PBF за ціною від 30.51 грн до 127.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58258CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8721pbf.pdf?ci_sign=863ed5203a8c2654f73f74cd31359630f2c24a6b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.03 грн
10+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58258CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8721pbf.pdf?ci_sign=863ed5203a8c2654f73f74cd31359630f2c24a6b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.43 грн
10+53.93 грн
32+34.50 грн
88+32.63 грн
250+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb8721-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+106.81 грн
174+70.45 грн
210+58.38 грн
500+50.16 грн
1000+43.97 грн
2000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Виробник : Infineon Technologies irlb8721pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566056732591 Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.35 грн
50+50.77 грн
100+45.27 грн
500+33.43 грн
1000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB8721PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.33 грн
10+84.51 грн
100+48.53 грн
500+38.77 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLB8721_DataSheet_v01_01_EN-3363432.pdf MOSFETs MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.06 грн
10+99.51 грн
25+52.29 грн
100+42.29 грн
250+42.22 грн
500+37.15 грн
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF
Код товару: 182469
Додати до обраних Обраний товар

irlb8721pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566056732591 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF Виробник : Vishay / Siliconix irlb8721pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566056732591 MOSFETs Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB - MOSFETs - Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.