
IRLD014PBF VISHAY

Description: VISHAY - IRLD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 5502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 55.46 грн |
18+ | 46.46 грн |
100+ | 36.15 грн |
500+ | 19.16 грн |
1000+ | 16.48 грн |
5000+ | 16.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLD014PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRLD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Інші пропозиції IRLD014PBF за ціною від 30.71 грн до 159.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
IRLD014PBF | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF Код товару: 37496
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRLD014PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |