| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 136.50 грн |
| 10+ | 98.79 грн |
| 100+ | 84.02 грн |
| 250+ | 73.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLD110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.
Інші пропозиції IRLD110PBF за ціною від 73.38 грн до 183.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLD110PBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRLD110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRLD110PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Supplier Device Package: 4-HVMDIP Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Tube |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRLD110PBF | Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET |
на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IRLD110PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
IRLD110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRLD110PBF |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLD110PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 104+ | 136.50 грн |
| 143+ | 98.79 грн |
| 168+ | 84.02 грн |
| 250+ | 73.38 грн |
| IRLD110PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 140.67 грн |
| 10+ | 101.80 грн |
| 100+ | 86.58 грн |
| 250+ | 75.62 грн |
| IRLD110PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 183.79 грн |
| 10+ | 113.94 грн |
| 100+ | 77.83 грн |
| IRLD110PBF |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLD110PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLD110PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)