Продукція > VISHAY > IRLD110PBF
IRLD110PBF

IRLD110PBF Vishay

sihld110.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLD110PBF Vishay

Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції IRLD110PBF за ціною від 20.27 грн до 115.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : VISHAY IRLD110PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 760mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+61.1 грн
13+ 27.12 грн
25+ 24.36 грн
37+ 21.76 грн
100+ 21.73 грн
102+ 20.57 грн
500+ 20.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : VISHAY IRLD110PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 760mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.32 грн
8+ 33.8 грн
25+ 29.23 грн
37+ 26.11 грн
100+ 26.07 грн
102+ 24.69 грн
500+ 24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+79.86 грн
10+ 74.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
131+89.36 грн
137+ 85.21 грн
Мінімальне замовлення: 131
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+93.99 грн
Мінімальне замовлення: 124
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0014899808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+107.3 грн
10+ 85.69 грн
100+ 66.69 грн
500+ 55.84 грн
1000+ 43.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihld110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
10+ 86.77 грн
100+ 69.08 грн
500+ 54.85 грн
1000+ 46.54 грн
2000+ 44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihld110.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI
на замовлення 8376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.6 грн
10+ 92.43 грн
100+ 66.43 грн
250+ 64.23 грн
500+ 56.73 грн
1000+ 46.17 грн
2500+ 45.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+115.31 грн
10+ 100.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLD110PBF IRLD110PBF Виробник : Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLD110PBF 
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)