Продукція > VISHAY / SILICONIX > IRLD110PBF
IRLD110PBF

IRLD110PBF Vishay / Siliconix

sihld110.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.12 грн
10+85.11 грн
100+61.25 грн
250+58.15 грн
2500+53.00 грн
10000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLD110PBF Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRLD110PBF за ціною від 78.91 грн до 186.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay Siliconix sihld110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.34 грн
10+115.53 грн
100+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF 
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF sihld110.pdf
IRLD110PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+186.34 грн
10+115.53 грн
100+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF 
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.