на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 109.32 грн |
| 10+ | 79.12 грн |
| 100+ | 67.29 грн |
| 250+ | 58.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLD110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.
Інші пропозиції IRLD110PBF за ціною від 26.94 грн до 184.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLD110PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLD110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLD110PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET |
на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLD110PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLD110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLD110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRLD110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRLD110PBF | Виробник : VISHAY |
IRLD110PBF THT N channel transistors |
на замовлення 687 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLD110PBF |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |