Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLD110PBF
IRLD110PBF

IRLD110PBF

sihld110.pdf
Код товару: 30512
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLD110PBF за ціною від 73.38 грн до 183.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.50 грн
10+98.79 грн
100+84.02 грн
250+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.50 грн
143+98.79 грн
168+84.02 грн
250+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.67 грн
10+101.80 грн
100+86.58 грн
250+75.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay Siliconix sihld110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.79 грн
10+113.94 грн
100+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay / Siliconix sihld110.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF IRLD110PBF VISHAY 1866628.pdf Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF 
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF sihld110.pdf
IRLD110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+136.50 грн
10+98.79 грн
100+84.02 грн
250+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF sihld110.pdf
IRLD110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+136.50 грн
143+98.79 грн
168+84.02 грн
250+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF sihld110.pdf
IRLD110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+140.67 грн
10+101.80 грн
100+86.58 грн
250+75.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF sihld110.pdf
IRLD110PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.79 грн
10+113.94 грн
100+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF sihld110.pdf
IRLD110PBF
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF 1866628.pdf
IRLD110PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF sihld110.pdf
IRLD110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF 
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.