Інші пропозиції IRLD110PBF за ціною від 52.16 грн до 186.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLD110PBF | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET |
на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLD110PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Supplier Device Package: 4-HVMDIP Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Tube |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRLD110PBF |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLD110PBF |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.12 грн |
| 10+ | 85.11 грн |
| 100+ | 61.25 грн |
| 250+ | 58.15 грн |
| 2500+ | 53.00 грн |
| 10000+ | 52.16 грн |
| IRLD110PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.34 грн |
| 10+ | 115.53 грн |
| 100+ | 78.91 грн |