
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 12.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLL110TRPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLL110TRPBF за ціною від 14.81 грн до 84.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 18874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.93A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 33085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.93A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRLL110TRPBF |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRLL110TRPBF Код товару: 119073
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|