Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRL 80 AOSRAM Opto SemiconductorsInfrared Emitter 950nm 3.5mW/sr Circular Right Angle 2-Pin
товар відсутній
IRL 80Aams-OSRAM USA INC.Description: EMITTER IR 950NM 60MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 950nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Viewing Angle: 60°
Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.4mW/sr @ 20mA
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRL 81AOSRAM Opto SemiconductorsInfrared Emitter 860nm 2.5mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker
товар відсутній
IRL 81AAMS OSRAM GROUPDescription: AMS OSRAM GROUP - IRL 81A - Infrarot-Emitter, 860 nm, 24 °, Radial bedrahtet, 25 mW/Sr, 12 ns, 12 ns
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.6
Abfallzeit tf: 12
Spitzenwellenlänge: 860
Betriebstemperatur, min.: -40
Strahlungsintensität (Ie): 25
Halbwertswinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 100
Anstiegszeit: 12
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.17 грн
13+ 59.65 грн
25+ 53.66 грн
50+ 42.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL 81Aams-OSRAM USA INC.Description: EMITTER IR 860NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 860nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 24°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 25mW/sr @ 20mA
товар відсутній
IRL 81A
Код товару: 169185		Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
товар відсутній
IRL 81AOSRAM Opto SemiconductorsInfrared Emitter 860nm 2.5mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.34 грн
12+ 48.94 грн
100+ 32.12 грн
500+ 29.3 грн
1000+ 21.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL 81Aams OSRAMInfrared Emitters Infrared 850nm Half Angle +/-12DEG
на замовлення 89934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.17 грн
10+ 50.46 грн
100+ 28.73 грн
500+ 25.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL 81A E9545OSRAM Opto Semiconductors Inc.Description: EMITTER IR 860NM 100MA RADIAL
товар відсутній
IRL 81A E9553OSRAM Opto (ams OSRAM)Description: SENSOR
товар відсутній
IRL 81A-RSOSRAM Opto Semiconductors Inc.Description: HIGH POWER INFRARED EMITTER 850N
товар відсутній
IRL 81A-RSOSRAM Opto SemiconductorsInfrared Emitter Circular Top Mount 4-Pin
товар відсутній
IRL-5-D-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-D-D-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.02 грн
5+ 1308.94 грн
10+ 1149.29 грн
20+ 971.81 грн
50+ 879.31 грн
IRL-5-D-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-D-S-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.02 грн
5+ 1308.94 грн
10+ 1149.29 грн
20+ 971.81 грн
50+ 879.31 грн
IRL-5-K-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-K-D-2 - Schlüsselschalter, Aus-(Ein), DPDT, IRL Impulsion, 1 Position, Lötanschluss, 1 A
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Aus-(Ein)
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 1 Position
AC-Kontaktspannung, nom.: 115V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Impulsion
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: DPDT
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1003.69 грн
5+ 850.7 грн
10+ 779.75 грн
20+ 635.52 грн
IRL-5-K-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-K-S-2 - Schlüsselschalter, DPDT, IRL Impulsion, 2 Positionen, Lötanschluss, 1 A
Schaltwinkel: 60
Schalterfunktion: -
AC-Kontaktspannung, nom.: 115
Kontaktkonfiguration: DPDT
DC-Kontaktspannung, nom.: 24
Anzahl der Schalterpositionen: 2 Positionen
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
Kontaktstrom, max.: 1
Produktpalette: IRL Impulsion
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
IRL-5-L-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-L-D-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.02 грн
5+ 1308.94 грн
10+ 1149.29 грн
20+ 971.81 грн
50+ 879.31 грн
IRL-5-L-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-L-S-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.02 грн
5+ 1308.94 грн
10+ 1149.29 грн
20+ 971.81 грн
50+ 879.31 грн
IRL-5-M-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-M-D-2 - Schlüsselschalter, Aus-(Ein), DPDT, IRL Impulsion, 1 Position, Lötanschluss, 1 A
tariffCode: 85365080
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Aus-(Ein)
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 1 Position
AC-Kontaktspannung, nom.: 115V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Impulsion
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: DPDT
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1089.43 грн
IRL-5-M-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-M-S-2 - Schlüsselschalter, Aus-(Ein), DPDT, IRL Impulsion, 1 Position, Lötanschluss, 1 A
tariffCode: 85365080
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Aus-(Ein)
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 1 Position
AC-Kontaktspannung, nom.: 115V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Impulsion
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: DPDT
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1089.43 грн
5+ 923.87 грн
10+ 847 грн
20+ 690.42 грн
50+ 580.3 грн
IRL-5-R-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-R-D-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.02 грн
5+ 1308.94 грн
10+ 1149.29 грн
20+ 971.81 грн
50+ 879.31 грн
IRL-5-R-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-R-S-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.02 грн
5+ 1308.94 грн
10+ 1149.29 грн
20+ 971.81 грн
50+ 879.31 грн
IRL-CL2-01MEAN WELLLED Lighting Bars and Strips SW/WW 12V 3M LED RL 5700-6500/2900-3200K
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRL-P212E50SICK, Inc.Description: REF PHOTOELEC SWITCH
Packaging: Bulk
Adjustment Type: Adjustable, 9-Turn Potentiometer
Sensing Distance: 9.843" ~ 59.055" (250mm ~ 1.5m)
Sensing Method: Retroreflective
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Voltage - Supply: 19.2V ~ 27.6V
Response Time: 2ms
Ingress Protection: IP65
Connection Method: Connector, M12
Light Source: Red LED
товар відсутній
IRL-RGB-01MEAN WELLLED Lighting Bars and Strips RGB 12V 3M LED Reel 620/515/460nm IP65
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRL-RGBW-01MEAN WELLLED Lighting Bars and Strips RGBW 12V 3M LED Reel 620/515/460nm 5500K
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRL02 200X200X1TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
Packaging: Bulk
Material: Polymer Resin, Magnetic Powder
Length: 7.874" (200.00mm)
Shape: Square
Type: Absorbing Sheet
Width: 7.874" (200.00mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Adhesive: Non-Conductive, Single Sided
Thickness - Overall: 0.039" (1.00mm)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRL02 200X200X2TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
товар відсутній
IRL024B10Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товар відсутній
IRL024B20Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товар відсутній
IRL024B40Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товар відсутній
IRL024F10Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товар відсутній
IRL024F20Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товар відсутній
IRL024F40Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товар відсутній
IRL024P10Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товар відсутній
IRL024P20Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товар відсутній
IRL024P40Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товар відсутній
IRL02A 200X200X1TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
товар відсутній
IRL02A 200X200X2TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
товар відсутній
IRL02AB 300X200X0.05TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товар відсутній
IRL03AB 300X200X0.25TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товар відсутній
IRL03AB 300X200X0.5TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товар відсутній
IRL04EAB 300X200X0.25TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товар відсутній
IRL04EAB 300X200X0.5TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товар відсутній
IRL04EAB300X200X0.5TDKEMI Gaskets, Sheets & Absorbers 50MHz-10GHz
товар відсутній
IRL04EAB300X200X0.50TDKEMI Gaskets, Sheets, Absorbers & Shielding
товар відсутній
IRL04EAB300X200X0.50TDK - TeridianNOISE SUPPRESION SHEET FLEXIELD
товар відсутній
IRL05AB 300X200X0.1TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товар відсутній
IRL1004InfineonN-MOSFET 130A 40V 200W IRL1004 IRL1004 TIRL1004
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL1004Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1004Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL1004LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1004LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1004LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL1004PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.43 грн
4+ 113.93 грн
8+ 99.51 грн
22+ 94.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+148.25 грн
88+ 134.03 грн
103+ 113.5 грн
113+ 100.12 грн
250+ 91.78 грн
500+ 76.95 грн
1000+ 73.86 грн
Мінімальне замовлення: 79
IRL1004PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.51 грн
10+ 133.78 грн
100+ 113.08 грн
500+ 97.46 грн
1000+ 88.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL1004PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.51 грн
3+ 141.97 грн
8+ 119.42 грн
22+ 112.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1004PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.15 грн
10+ 190.94 грн
25+ 112 грн
100+ 100.8 грн
250+ 100.15 грн
500+ 91.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+137.47 грн
10+ 124.28 грн
25+ 105.25 грн
100+ 92.84 грн
250+ 85.1 грн
500+ 71.35 грн
1000+ 68.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL1004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.69 грн
50+ 153.98 грн
100+ 131.99 грн
500+ 110.1 грн
1000+ 94.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1004PBF транзистор
Код товару: 198530		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL1004SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL1004SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1004SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL1004SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1004SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 66.7nC
товар відсутній
IRL1004SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRL1004STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1004STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL1004STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1004STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1004STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1004STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1004STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL100HS121Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
IRL100HS121Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
на замовлення 3421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.41 грн
10+ 57.92 грн
100+ 45.04 грн
500+ 35.83 грн
1000+ 29.19 грн
2000+ 27.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL100HS121Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
IRL100HS121Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
IRL100HS121INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.8A; 5.8W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Power dissipation: 5.8W
Gate charge: 3.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 7.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL100HS121Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
товар відсутній
IRL100HS121INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.8A; 5.8W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Power dissipation: 5.8W
Gate charge: 3.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 7.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
товар відсутній
IRL100HS121Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 555-564 дні (днів)
4+85.32 грн
10+ 75.46 грн
100+ 50.8 грн
500+ 44.21 грн
1000+ 35.58 грн
4000+ 30.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL1104Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL1104
Код товару: 99524		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3445/68
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товар відсутній
IRL1104Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1104LPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
товар відсутній
IRL1104LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL1104PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
товар відсутній
IRL1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1104SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1104SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL1104SPBF
Код товару: 15420		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3445/68
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRL1104SPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
товар відсутній
IRL1104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL1104SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1104STRLInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1104STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1104STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL1104STRLPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
товар відсутній
IRL1104STRRInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1104STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL1404LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL1404LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1404PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1350+77.9 грн
Мінімальне замовлення: 1350
IRL1404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+74.23 грн
Мінімальне замовлення: 158
IRL1404PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
товар відсутній
IRL1404PBF
Код товару: 57532		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 23 шт:
16 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+85 грн
10+ 78 грн
IRL1404PBF-INFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+75.02 грн
Мінімальне замовлення: 263
IRL1404SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL1404SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1404SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL1404SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1404SPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
товар відсутній
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.16 грн
10+ 147.83 грн
100+ 119.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.41 грн
1600+ 91.04 грн
2400+ 85.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.82 грн
10+ 155.95 грн
100+ 125.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.08 грн
10+ 165.17 грн
25+ 140.99 грн
100+ 115.96 грн
250+ 113.98 грн
500+ 109.37 грн
800+ 84.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1404ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0.0031Ω IRL1404Z TIRL1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL1404ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1404ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1404ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL1404ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.64 грн
10+ 135.99 грн
100+ 110.86 грн
500+ 88.53 грн
1000+ 69.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+153.55 грн
95+ 123.43 грн
115+ 102.03 грн
500+ 86.6 грн
1000+ 69.64 грн
Мінімальне замовлення: 77
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.36 грн
50+ 124.06 грн
100+ 102.07 грн
500+ 81.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.6 грн
10+ 91.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL1404ZPBF
Код товару: 34998		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 255 шт:
201 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+72 грн
10+ 66.8 грн
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.49 грн
10+ 128.05 грн
100+ 96.19 грн
500+ 83.02 грн
1000+ 77.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+142.63 грн
10+ 114.65 грн
100+ 94.78 грн
500+ 80.43 грн
1000+ 64.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL1404ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL1404ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1404ZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL1404ZSPBF
Код товару: 27885		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5080/75
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRL1404ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 75nC
товар відсутній
IRL1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1404ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.21 грн
10+ 130.67 грн
100+ 104.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+99.91 грн
126+ 93.02 грн
127+ 92.08 грн
140+ 80.65 грн
250+ 73.92 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 59.4 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRL1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.16 грн
250+ 78.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.77 грн
10+ 86.37 грн
25+ 85.51 грн
100+ 74.89 грн
250+ 68.64 грн
500+ 57.91 грн
1000+ 55.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+76.36 грн
154+ 75.87 грн
200+ 71.66 грн
500+ 66.17 грн
1600+ 63.28 грн
3200+ 62.78 грн
Мінімальне замовлення: 153
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+53.35 грн
12+ 52.24 грн
100+ 50.8 грн
500+ 48.36 грн
800+ 42.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+150.78 грн
5+ 130.85 грн
10+ 96.36 грн
28+ 90.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.65 грн
5+ 105 грн
10+ 80.3 грн
28+ 75.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.4 грн
1600+ 74.68 грн
2400+ 70.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+57.46 грн
208+ 56.26 грн
214+ 54.71 грн
500+ 52.08 грн
800+ 45.9 грн
Мінімальне замовлення: 204
IRL1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.86 грн
10+ 113.08 грн
50+ 103.47 грн
100+ 87.16 грн
250+ 78.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
на замовлення 14754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.67 грн
10+ 111.38 грн
100+ 82.36 грн
250+ 81.7 грн
500+ 77.09 грн
800+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL1N12LHARTO-39;
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2203IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2203NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRL2203N TIRL2203n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRL2203NInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL2203N(транзистор)
Код товару: 46039		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IRL2203N-029Infineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL2203N-029HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL2203NHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL2203NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2203NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2203NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL2203NLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
товар відсутній
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL2203NPBF
Код товару: 74311		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 116 A
Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3290/60
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 499 шт:
442 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39 грн
10+ 34.7 грн
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB
товар відсутній
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+44.26 грн
2450+ 40.45 грн
4900+ 37.63 грн
7350+ 34.22 грн
Мінімальне замовлення: 264
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRL2203NPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2203NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2203NSHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL2203NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2203NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC
товар відсутній
IRL2203NSPBF
Код товару: 1761		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL2203NSPBFInternational Rectifier Corporation
на замовлення 48 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRL2203NSTR
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2203NSTRL
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2203NSTRLHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL2203NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2203NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL2203NSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
товар відсутній
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2203NSTRRIR0310+
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2203NSTRRIR0310+
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2203NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2203NSTRRHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL2203NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2203NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC
товар відсутній
IRL2203NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2203SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2203STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2203STRLVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товар відсутній
IRL2203STRRVishayVishay
товар відсутній
IRL2203STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2230NSIR
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2505Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL2505International RectifierN-MOSFET HEXFET 55V 104A 200W 0.008Ω IRL2505 TIRL2505
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL2505LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2505LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+103.31 грн
10+ 93.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL2505PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+138.36 грн
3+ 120.59 грн
10+ 102.12 грн
11+ 88.94 грн
30+ 84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+122.82 грн
110+ 106.87 грн
126+ 93.33 грн
500+ 86.5 грн
1000+ 69.43 грн
2000+ 54.4 грн
5000+ 53.85 грн
Мінімальне замовлення: 96
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL2505PBFIRТранз. Пол. БМ N-HEXFET logik TO220AB Udss=55V; Id=104A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+138.95 грн
10+ 104.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL2505PBF
Код товару: 27992		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 203 шт:
142 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL2505PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+156.81 грн
10+ 125.77 грн
100+ 100.8 грн
500+ 88.29 грн
1000+ 73.79 грн
2000+ 69.84 грн
5000+ 69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL2505PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.77 грн
10+ 85.1 грн
11+ 74.12 грн
30+ 70 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL2505PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 104; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25; Qg, нКл = 130 @ 5 В; Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624 грн
10+ 73.8 грн
100+ 68.53 грн
IRL2505PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2505PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.95 грн
10+ 123.43 грн
100+ 110.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL2505PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 12440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.34 грн
50+ 131.95 грн
100+ 108.57 грн
500+ 86.21 грн
1000+ 73.15 грн
2000+ 69.49 грн
5000+ 65.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+113.89 грн
10+ 99.1 грн
100+ 86.54 грн
500+ 80.21 грн
1000+ 64.38 грн
2000+ 50.44 грн
5000+ 49.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL2505PBF
Код товару: 191359		JSMicroТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 68 A
Rds(on), Ohm: 7,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1204/17,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 293 шт:
243 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58 грн
10+ 53.5 грн
IRL2505SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2505SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2505SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2505SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 86.7nC
товар відсутній
IRL2505SPBF
Код товару: 18630		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
товар відсутній
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL2505STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2505STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL2505STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.09 грн
10+ 175.02 грн
100+ 151.54 грн
800+ 94.22 грн
2400+ 77.74 грн
4800+ 73.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2505STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2505STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2703International RectifierN-MOSFET 30V 24A IRL2703 TIRL2703
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRL2703Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL2703HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL2703PBF
Код товару: 114363		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL2703PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRL2703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL2703PBFInternational Rectifier Corporation
на замовлення 192 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRL2703PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 24A 400mOhm 10nC LogLvAB
товар відсутній
IRL2703SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2703SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2703SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2703SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL2703SPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC
товар відсутній
IRL2703SPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2703SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2703STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2703STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2703STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2703STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL2910Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL2910LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2910L
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2910LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL2910NSIR
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2910PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 48A 93.3nC 26mOhm LogLvAB
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.96 грн
10+ 152.29 грн
100+ 121.23 грн
250+ 117.93 грн
500+ 101.46 грн
1000+ 74.45 грн
5000+ 65.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL2910PBF
Код товару: 99525		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3700/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 67 шт:
44 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+95 грн
IRL2910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL2910PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.38 грн
10+ 148.56 грн
100+ 132.3 грн
500+ 105.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL2910SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2910SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2910SIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2910SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2910SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL2910SHRIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2910SHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL2910SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRL2910SPBF
Код товару: 118889		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 8 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+155 грн
IRL2910SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2910SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRL2910SPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRL2910STRLInfineonN-MOSFET HEXFET 100V 55A 3.8W 0.026Ω IRL2910S TIRL2910s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL2910STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 8191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.52 грн
10+ 173.7 грн
100+ 140.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL2910STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.38 грн
500+ 100.89 грн
1000+ 91.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL2910STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.1 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.71 грн
1600+ 106.96 грн
2400+ 100.71 грн
5600+ 90.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL2910STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+251.29 грн
10+ 177.38 грн
100+ 143.38 грн
500+ 100.89 грн
1000+ 91.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.9 грн
10+ 193.21 грн
25+ 158.12 грн
100+ 135.72 грн
250+ 127.82 грн
500+ 120.57 грн
800+ 96.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.69 грн
112+ 105.05 грн
116+ 101.16 грн
200+ 96.6 грн
500+ 83.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL2910STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET PLANAR >= 100V
товар відсутній
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+106.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL2910SZIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3102Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3102IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3102LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3102PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
товар відсутній
IRL3102PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3102PBFIR
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3102PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3102SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3102SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3102SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3102SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3102SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
товар відсутній
IRL3102SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL3102SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3102STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3102STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
товар відсутній
IRL3102STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3102STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3102STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3103Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL3103
Код товару: 189656		JSMicroТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
Монтаж: THT
у наявності 220 шт:
220 шт - склад
1+38 грн
10+ 34.5 грн
100+ 29.9 грн
IRL3103
Код товару: 7965		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2500/58
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товар відсутній
IRL3103D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3103D1SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D1SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3103D1SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D1STRLIOR2000
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3103D1STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D1STRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D1STRLPInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3103D1STRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D1STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3103D1STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D1STRRVishayMOSFET
товар відсутній
IRL3103D1STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3103D2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D2SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103D2SInfineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
IRL3103D2STRLInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3103D2STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3103LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103LHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3103LPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
товар відсутній
IRL3103LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL3103LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL3103PBF
Код товару: 52399		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1650/33
Монтаж: THT
товар відсутній
IRL3103PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL3103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 56A 12mOhm 22nC LogLvlAB
товар відсутній
IRL3103PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3103PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRL3103SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3103SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3103S
Код товару: 24772		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL3103SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3103SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103SHRIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab)
товар відсутній
IRL3103SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3103SHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab)
товар відсутній
IRL3103SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL3103SPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 12mOhms
товар відсутній
IRL3103STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103STRLIR01+ TO263
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3103STRLIOR2000
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3103STRLHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3103STRLPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
товар відсутній
IRL3103STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 163572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 586
IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3103STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 3200
IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103STRRHARRIS2001
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3103STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103STRRHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3103STRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
товар відсутній
IRL3103STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3103STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3104SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3202LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 48A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3202PBF
Код товару: 56364		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL3202PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3202PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3202SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3202SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3202SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3202STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3215
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 166mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3215
Код товару: 55948		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IRL3215HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3215PBFIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3215PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3215PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+153.18 грн
25+ 137.28 грн
100+ 78.76 грн
500+ 66.19 грн
1000+ 49.03 грн
2500+ 45.83 грн
5000+ 43.97 грн
10000+ 42.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL3215PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3302Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3302LInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3302LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товар відсутній
IRL3302LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 39A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3302PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3302PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3302SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3302SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3302SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL3302SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3302SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 8.7nC
товар відсутній
IRL3302STInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3302STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3302STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 20.7nC
товар відсутній
IRL3302STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
товар відсутній
IRL3302STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3302STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3302STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3303IRTO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3303IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303IR
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3303D1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
IRL3303D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303D1PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3303D1SInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3303D1S
Код товару: 79756		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRL3303D1SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303D1SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3303D1SPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3303D1STRLInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3303D1STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303D1STRLHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3303D1STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3303D1STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303D1STRRInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3303D1STRRVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товар відсутній
IRL3303HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3303LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL3303LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl
товар відсутній
IRL3303PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3303PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB
товар відсутній
IRL3303PBFIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3303SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3303SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3303SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3303SPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl
товар відсутній
IRL3303SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL3303SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303STRLHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3303STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3303STRRHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3303STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3402IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3402Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3402HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3402LInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3402LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3402LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товар відсутній
IRL3402PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 52nC
товар відсутній
IRL3402PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3402PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3402SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3402SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3402SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3402SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товар відсутній
IRL3402SPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3402SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL3402STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товар відсутній
IRL3402STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3402STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товар відсутній
IRL3402STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товар відсутній
IRL3402STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3502Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3502Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3502
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3502HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3502LInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3502LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3502LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товар відсутній
IRL3502PBFIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3502PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 8mOhms
товар відсутній
IRL3502PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+244.94 грн
25+ 140.17 грн
100+ 98.27 грн
500+ 91.27 грн
1000+ 81.29 грн
2500+ 75.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3502PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3502PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3502SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3502SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3502SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3502SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3502SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL3502SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC
товар відсутній
IRL3502STRLHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3502STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3502STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3502STRRHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3502STRRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC
товар відсутній
IRL3502STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3705IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3705IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3705NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705NIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL3705NL
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3705NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705NLPBF
Код товару: 28463		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-262
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Монтаж: THT
товар відсутній
IRL3705NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.04 грн
4+ 111.18 грн
10+ 85.1 грн
26+ 80.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.77 грн
11+ 56.35 грн
100+ 52.54 грн
250+ 50.16 грн
500+ 43.18 грн
1000+ 38.49 грн
2000+ 32.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.08 грн
10+ 97.56 грн
100+ 82.04 грн
500+ 72.75 грн
1000+ 63.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+123.53 грн
104+ 112.83 грн
127+ 92.11 грн
200+ 83.1 грн
500+ 76.69 грн
1000+ 65.45 грн
Мінімальне замовлення: 95
IRL3705NPBFIRТранз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+93.93 грн
10+ 77.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.87 грн
10+ 97.32 грн
100+ 77.48 грн
500+ 61.53 грн
1000+ 52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF
Код товару: 24017		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 415 шт:
330 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30 грн
10+ 27.4 грн
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.6 грн
10+ 102.29 грн
100+ 73.79 грн
250+ 73.13 грн
500+ 62.52 грн
1000+ 53.76 грн
2000+ 51.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+67.77 грн
192+ 60.85 грн
206+ 56.72 грн
250+ 54.16 грн
500+ 46.63 грн
1000+ 41.56 грн
2000+ 35.1 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRL3705NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+159.64 грн
3+ 138.55 грн
10+ 102.12 грн
26+ 96.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NPBF/IRIR08+;
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3705NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705NS
Код товару: 37577		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL3705NSIRL3705NS Транзисторы HEXFET
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRL3705NSPBFInfineonТранз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+155.62 грн
10+ 139.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705NSTRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3705NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3705NSTRLPBFInfineonТранз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
на замовлення 227 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+177.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.42 грн
1600+ 45.97 грн
2400+ 45.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.79 грн
10+ 69.93 грн
100+ 60.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+81.41 грн
149+ 78.78 грн
161+ 72.66 грн
200+ 68.09 грн
500+ 62.87 грн
1600+ 56.61 грн
Мінімальне замовлення: 144
IRL3705NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.13 грн
250+ 58.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3705NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.71 грн
10+ 71.04 грн
25+ 70.48 грн
100+ 60.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.29 грн
1600+ 42.57 грн
2400+ 42.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3705NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+106.43 грн
10+ 87.95 грн
50+ 79.08 грн
100+ 65.13 грн
250+ 58.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705NSTRLPBFInternational Rectifier CorporationMOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl, TO-252-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRL3705NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3705PBFIRTO-220AB
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3705ZInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+74.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705Z
Код товару: 99526		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Монтаж: THT
товар відсутній
IRL3705ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.16 грн
10+ 170.48 грн
100+ 121.23 грн
500+ 99.49 грн
1000+ 83.02 грн
2000+ 80.38 грн
10000+ 79.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+108.94 грн
116+ 101.16 грн
137+ 85.59 грн
200+ 78.03 грн
500+ 72 грн
1000+ 62.53 грн
Мінімальне замовлення: 108
IRL3705ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.78 грн
10+ 100.52 грн
100+ 78.34 грн
500+ 61.08 грн
1000+ 48.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705ZPBFInternational RectifierDescription: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 330
IRL3705ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL3705ZPBF
Код товару: 113435		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 13 шт:
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 100 шт:
100 шт - очікується 01.05.2024
1+42 грн
10+ 37.7 грн
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.01 грн
50+ 95.75 грн
100+ 78.78 грн
500+ 62.56 грн
1000+ 53.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.6 грн
10+ 106.08 грн
100+ 73.13 грн
500+ 62.52 грн
1000+ 54.68 грн
10000+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+87.27 грн
160+ 73.4 грн
500+ 64.06 грн
1000+ 55.06 грн
2000+ 49.9 грн
Мінімальне замовлення: 134
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.39 грн
10+ 80.82 грн
100+ 67.98 грн
500+ 57.21 грн
1000+ 47.22 грн
2000+ 44.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL3705ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3705ZSIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3705ZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3705ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705ZSPBF
Код товару: 26657		IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRL3705ZSPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 40nC
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRL3705ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+142.54 грн
10+ 114.34 грн
100+ 90.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+129.36 грн
97+ 120.61 грн
116+ 101.16 грн
200+ 92.85 грн
500+ 85.72 грн
Мінімальне замовлення: 91
IRL3705ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL3705ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70 грн
250+ 62.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.08 грн
1600+ 60.9 грн
2400+ 60.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.05 грн
10+ 70.78 грн
25+ 70.07 грн
100+ 56.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+81.9 грн
154+ 76.22 грн
155+ 75.46 грн
187+ 60.44 грн
Мінімальне замовлення: 143
IRL3705ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.52 грн
10+ 93.87 грн
50+ 85 грн
100+ 70 грн
250+ 62.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.69 грн
10+ 95.47 грн
100+ 66.54 грн
800+ 58.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.95 грн
1600+ 65.75 грн
2400+ 65.1 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3713Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3713International RectifierN-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+218.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3713International RectifierN-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+218.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3713HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3713L(94-2390)
на замовлення 7095 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3713PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+207.99 грн
100+ 184.88 грн
500+ 159.67 грн
Мінімальне замовлення: 57
IRL3713PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL3713PBF
Код товару: 198923		VBsemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 100 шт:
90 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+70 грн
10+ 65 грн
IRL3713PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL3713PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB
товар відсутній
IRL3713PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRL3713PBF
Код товару: 35005		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 14 шт:
1 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+85 грн
10+ 77 грн
IRL3713PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3713SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3713SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3713SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3713SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC
товар відсутній
IRL3713SPBF
Код товару: 28823		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL3713STRLInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3713STRLIOR
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3713STRLHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3713STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3713STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3713STRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log Lvl
товар відсутній
IRL3713STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3713STRRInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3713STRRHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3713STRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC
товар відсутній
IRL3713STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
товар відсутній
IRL3713STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3713STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3714
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3714LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714L
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3714LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3714SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3714SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3714SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714STRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714STRL
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3714STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714STRR
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3714STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714STRRPBF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3714TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3714ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714ZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3714ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3714ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL3714ZSPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3714ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3714ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3714ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3715Infineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715LIORD-PAK
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3715LInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715LPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715PBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715SInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3715SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3715SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 54A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.4 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRL3715SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC
товар відсутній
IRL3715STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715STRLInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715STRRInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715STRRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC
товар відсутній
IRL3715STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
товар відсутній
IRL3715TRInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
товар відсутній
IRL3715TRLInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715TRLPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715TRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715TRRInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
товар відсутній
IRL3715TRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715Z
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3715ZCLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715ZCSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715ZCSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3715ZCSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715ZCSTRLIOR2003
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3715ZCSTRLInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715ZCSTRLPInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715ZCSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товар відсутній
IRL3715ZCSTRRInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715ZCSTRRPInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3715ZCSTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товар відсутній
IRL3715ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO262
товар відсутній
IRL3715ZLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Log Lvl
товар відсутній
IRL3715ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3715ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 50A 7nC 11mOhm Qg log lvl
товар відсутній
IRL3715ZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3715ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715ZSIR04+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3715ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3715ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL3715ZSPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Qg Log Lvl
товар відсутній
IRL3715ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товар відсутній
IRL3715ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товар відсутній
IRL3715ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товар відсутній
IRL3715ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товар відсутній
IRL3716Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3716HRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3716LInternational RectifierN-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
кількість в упаковці: 11 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
11+90.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL3716LPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
товар відсутній
IRL3716LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL3716LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3716PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL3716PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3716PBF
Код товару: 98084		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL3716PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
товар відсутній
IRL3716PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3716PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 210
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRL3716SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3716SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3716SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
товар відсутній
IRL3716SHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3716SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
товар відсутній
IRL3716SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRL3716SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
товар відсутній
IRL3716STRLInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3716STRLHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3716STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
товар відсутній
IRL3716STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3716STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
товар відсутній
IRL3716STRRInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3716STRRHRInfineon / IRInfineon
товар відсутній
IRL3716STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товар відсутній
IRL3716STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
товар відсутній
IRL3717SIRTO-263
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3717SIR07+ TO-263
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3803Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3803International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3803LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl
товар відсутній
IRL3803LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3803LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL3803PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL3803PBF
Код товару: 28690		IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 33 шт:
18 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39 грн
10+ 34.7 грн
IRL3803PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+92.85 грн
155+ 75.76 грн
170+ 68.68 грн
250+ 65.57 грн
500+ 59.3 грн
1000+ 48.33 грн
2000+ 47.84 грн
5000+ 47.55 грн
Мінімальне замовлення: 126
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+157.64 грн
114+ 102.51 грн
129+ 90.86 грн
250+ 86.87 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRL3803PBFIRL3803PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRL3803PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.91 грн
10+ 95.34 грн
100+ 79.82 грн
500+ 68.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3803PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+142.54 грн
50+ 110.4 грн
100+ 90.84 грн
500+ 72.13 грн
1000+ 61.2 грн
2000+ 58.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+65.17 грн
183+ 63.91 грн
184+ 63.71 грн
200+ 60.4 грн
500+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 180
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+146.38 грн
10+ 95.19 грн
100+ 84.37 грн
250+ 80.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL3803PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.58 грн
10+ 103.8 грн
100+ 77.09 грн
250+ 76.43 грн
500+ 68.52 грн
1000+ 60.81 грн
2000+ 58.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+85.64 грн
10+ 69.87 грн
100+ 63.35 грн
250+ 60.48 грн
500+ 54.69 грн
1000+ 44.57 грн
2000+ 44.13 грн
5000+ 43.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+141.75 грн
122+ 96.31 грн
143+ 81.66 грн
250+ 77.95 грн
Мінімальне замовлення: 83
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+131.63 грн
10+ 89.43 грн
100+ 75.82 грн
250+ 72.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3803SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3803SInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803S smd TIRL3803s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3803SPB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3803SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3803SPBFIR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3803STRLIRTO263
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3803STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3803STRLIR04+ TO-263
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3803STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.3 грн
10+ 134.52 грн
100+ 99.04 грн
500+ 70 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+159.88 грн
10+ 132.59 грн
100+ 91.58 грн
500+ 86.31 грн
800+ 67.86 грн
2400+ 64.37 грн
4800+ 62.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+173.95 грн
80+ 145.99 грн
101+ 115.71 грн
Мінімальне замовлення: 68
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.08 грн
10+ 124.77 грн
100+ 99.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3803STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL3803STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL3803STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.04 грн
500+ 70 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+161.52 грн
10+ 135.56 грн
100+ 107.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.29 грн
1600+ 71.32 грн
2400+ 67.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3803STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3803STRRPBF
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 298
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC
товар відсутній
IRL3803VL
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3803VPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.0055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 140
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товар відсутній
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL3803VPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 140A 50.7nC 5.5mOhm LogLvAB
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL3803VSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3803VSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 140A 5.5mOhm 50.7nC LogLv
товар відсутній
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL3803VSPBFIR
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRL40B209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL40B209INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1707A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 293A
Pulsed drain current: 1707A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRL40B209INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1707A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 293A
Pulsed drain current: 1707A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL40B209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL40B209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+100.2 грн
118+ 99.21 грн
121+ 97.03 грн
200+ 93.27 грн
500+ 86.19 грн
1000+ 82.49 грн
2000+ 80.36 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRL40B209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL40B209
Код товару: 168507		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL40B209Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lv
на замовлення 4605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.99 грн
10+ 190.94 грн
100+ 142.31 грн
3000+ 121.23 грн
6000+ 112 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL40B209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+108.47 грн
Мінімальне замовлення: 108
IRL40B209INFINEONDescription: INFINEON - IRL40B209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.99 грн
10+ 208.42 грн
100+ 181.08 грн
500+ 157.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL40B212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL40B212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL40B212Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.08 грн
10+ 171.99 грн
100+ 118.59 грн
250+ 109.37 грн
500+ 102.78 грн
1000+ 98.17 грн
3000+ 83.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL40B212INFINEONDescription: INFINEON - IRL40B212 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.21 грн
10+ 231.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL40B212Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL40B212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL40B212INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 179A; 231W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 179A
Power dissipation: 231W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL40B212INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 179A; 231W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 179A
Power dissipation: 231W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL40B215INFINEONDescription: INFINEON - IRL40B215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 143
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.69 грн
10+ 158.17 грн
100+ 131.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL40B215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL40B215Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 137
IRL40B215INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 116A; 143W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 116A
Power dissipation: 143W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRL40B215INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 116A; 143W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 116A
Power dissipation: 143W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL40B215Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL40B215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+78.82 грн
Мінімальне замовлення: 249
IRL40B215Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.89 грн
10+ 129.56 грн
100+ 96.19 грн
250+ 91.58 грн
500+ 86.31 грн
1000+ 83.02 грн
3000+ 70.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 6693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.58 грн
10+ 151.4 грн
100+ 120.51 грн
500+ 95.7 грн
1000+ 81.2 грн
2000+ 77.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товар відсутній
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товар відсутній
IRL40S212Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
товар відсутній
IRL40S212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL40S212Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL40S212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.44 грн
1600+ 80.43 грн
2400+ 76.41 грн
5600+ 69.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesN-Channel MOSFET Transistor
товар відсутній
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.63 грн
10+ 156.84 грн
100+ 108.71 грн
250+ 104.1 грн
500+ 91.58 грн
800+ 73.79 грн
4800+ 71.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 24551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.04 грн
10+ 140.76 грн
100+ 112.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL40SC209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.26 грн
10+ 216.19 грн
100+ 174.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL40SC209Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.65 грн
10+ 224.27 грн
25+ 189.75 грн
100+ 162.74 грн
250+ 139.02 грн
800+ 120.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL40SC209INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+176.38 грн
250+ 159.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL40SC209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.44 грн
1600+ 133.11 грн
2400+ 125.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+160.49 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+184.9 грн
10+ 170.88 грн
25+ 168.93 грн
100+ 147.85 грн
250+ 112.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL40SC209INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.55 грн
10+ 226.9 грн
50+ 208.42 грн
100+ 176.38 грн
250+ 159.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+199.12 грн
64+ 184.03 грн
65+ 181.92 грн
100+ 159.22 грн
250+ 121.3 грн
Мінімальне замовлення: 59
IRL40SC228Infineon
на замовлення 363200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL40SC228Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.38 грн
10+ 225.93 грн
100+ 182.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+193.79 грн
10+ 177.89 грн
25+ 176.95 грн
100+ 154.54 грн
250+ 113.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+208.69 грн
61+ 191.57 грн
62+ 190.56 грн
100+ 166.42 грн
250+ 122.07 грн
Мінімальне замовлення: 56
IRL40SC228INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.05 грн
250+ 170.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+157.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL40SC228Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+168.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+364.92 грн
34+ 349.24 грн
50+ 335.94 грн
100+ 312.95 грн
250+ 280.98 грн
500+ 262.4 грн
Мінімальне замовлення: 32
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRL40SC228Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.62 грн
10+ 251.55 грн
100+ 177.23 грн
800+ 134.41 грн
2400+ 126.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL40SC228INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.59 грн
10+ 250.55 грн
50+ 226.9 грн
100+ 188.05 грн
250+ 170.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+236.35 грн
58+ 202.31 грн
100+ 201.34 грн
200+ 188.52 грн
500+ 160.66 грн
1600+ 148.4 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRL40T209Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IRL40T209ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IRL40T209ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 20 V
товар відсутній
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 20 V
товар відсутній
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IRL510Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRL510PBF
товар відсутній
IRL510SiliconixN-MOSFET 100V 5.6A IRL510 TIRL510
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRL510VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL510Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL510AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL510AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
IRL510LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL510L
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL510LVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
товар відсутній
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 373
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRL510PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.04 грн
12+ 66.15 грн
100+ 50.41 грн
500+ 41.59 грн
1000+ 31.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL510PBFVishay SemiconductorsMOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 7301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.79 грн
10+ 62.96 грн
100+ 44.8 грн
500+ 39.66 грн
1000+ 34.85 грн
2000+ 31.82 грн
5000+ 31.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+99.56 грн
10+ 81.04 грн
100+ 63.75 грн
500+ 52.09 грн
1000+ 39.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL510PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.52 грн
50+ 65.98 грн
100+ 52.29 грн
500+ 41.59 грн
1000+ 33.88 грн
2000+ 31.9 грн
5000+ 29.88 грн
10000+ 28.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL510PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 509 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+78.94 грн
7+ 41.05 грн
10+ 35.74 грн
35+ 27.51 грн
96+ 26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL510PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.78 грн
11+ 32.94 грн
12+ 29.79 грн
35+ 22.93 грн
96+ 21.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL510PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRL510PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.52 грн
50+ 65.98 грн
100+ 52.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL510PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.24 грн
10+ 60.54 грн
100+ 43.48 грн
500+ 36.9 грн
1000+ 32.28 грн
2000+ 32.09 грн
5000+ 31.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL510SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL510SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL510SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRL510SPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
товар відсутній
IRL510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
товар відсутній
IRL510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
товар відсутній
IRL510STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL510STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.84 грн
10+ 86.38 грн
100+ 58.37 грн
500+ 44.93 грн
800+ 37.95 грн
2400+ 37.88 грн
4800+ 36.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL510STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRL510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.07 грн
10+ 77.55 грн
100+ 60.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL510STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R
товар відсутній
IRL510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R
товар відсутній
IRL510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL510STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL510STRRPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
товар відсутній
IRL520Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRL520LPBF
товар відсутній
IRL520Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL520VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IRL520LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL520LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL520LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL520LPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.37 грн
10+ 95.47 грн
100+ 64.96 грн
500+ 47.96 грн
1000+ 39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL520N
Код товару: 440		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRL520NInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 100V 10A 48W 0.180Ω IRL520N TIRL520n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRL520NInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 100V 10A 48W 0.180Ω IRL520N TIRL520n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRL520NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL520NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRL520NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.41 грн
7+ 41.31 грн
10+ 36.98 грн
32+ 30.72 грн
86+ 28.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+46.59 грн
307+ 38.07 грн
500+ 35.23 грн
1000+ 28.17 грн
Мінімальне замовлення: 251
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.93 грн
18+ 33.45 грн
100+ 29.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+43.09 грн
295+ 39.58 грн
305+ 38.32 грн
500+ 35.55 грн
1000+ 31.7 грн
Мінімальне замовлення: 271
IRL520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 10A 13.3nC 180mOhm LogLvAB
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.03 грн
10+ 54.02 грн
100+ 38.08 грн
500+ 32.94 грн
1000+ 26.75 грн
2000+ 25.23 грн
5000+ 23.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+49.03 грн
14+ 43.4 грн
100+ 35.46 грн
500+ 31.64 грн
1000+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRL520NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.17 грн
11+ 33.15 грн
12+ 30.82 грн
32+ 25.6 грн
86+ 24.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.51 грн
14+ 56.61 грн
100+ 40.87 грн
500+ 33.08 грн
1000+ 27.43 грн
5000+ 24.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.57 грн
50+ 50.7 грн
100+ 40.18 грн
500+ 31.96 грн
1000+ 26.03 грн
2000+ 24.51 грн
5000+ 22.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL520NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL520NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL520NSIR05+
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL520NSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRL520NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL520NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 13.3nC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRL520NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.35 грн
10+ 62.95 грн
25+ 56.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL520NSTRLInfineonN-MOSFET HEXFET 100V 10A 3.8W 0.18Ω IRL520NS TIRL520ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 388 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRL520NSTRLInfineonN-MOSFET HEXFET 100V 10A 3.8W 0.18Ω IRL520NS TIRL520ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRL520NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 7067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.52 грн
500+ 41.8 грн
1000+ 34.78 грн
5000+ 30.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+54.47 грн
216+ 54.18 грн
307+ 38.03 грн
317+ 35.55 грн
500+ 29.7 грн
Мінімальне замовлення: 215
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.11 грн
10+ 62.11 грн
100+ 48.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.12 грн
10+ 67.92 грн
25+ 64.74 грн
100+ 49.46 грн
250+ 30.1 грн
Мінімальне замовлення: 8