Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRL 80Aams-OSRAM USA INC.Description: EMITTER IR 950NM 60MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 950nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Viewing Angle: 60°
Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.4mW/sr @ 20mA
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL 81AOSRAM Opto SemiconductorsInfrared Emitter 860nm 2.5mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.75 грн
12+62.45 грн
100+40.99 грн
500+37.38 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRL 81Aams OSRAMInfrared Emitters Infrared 850nm Half Angle +/-12DEG
на замовлення 89934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.78 грн
10+53.40 грн
100+30.40 грн
500+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL 81A
Код товару: 169185
Додати до обраних Обраний товар
Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL 81Aams-OSRAM USA INC.Description: EMITTER IR 860NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 860nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 24°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 25mW/sr @ 20mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL 81AAMS OSRAM GROUPDescription: AMS OSRAM GROUP - IRL 81A - Infrarot-Emitter, 860 nm, 24 °, Radial bedrahtet, 25 mW/Sr, 12 ns, 12 ns
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.6
Abfallzeit tf: 12
Spitzenwellenlänge: 860
Betriebstemperatur, min.: -40
Strahlungsintensität (Ie): 25
Halbwertswinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 100
Anstiegszeit: 12
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.53 грн
13+65.64 грн
25+59.06 грн
50+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRL 81A E9545OSRAM Opto Semiconductors Inc.Description: EMITTER IR 860NM 100MA RADIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL 81A E9553OSRAM Opto (ams OSRAM)Description: SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL 81A-RSOSRAM Opto Semiconductors Inc.Description: HIGH POWER INFRARED EMITTER 850N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-5-D-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-D-D-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1267.34 грн
5+1126.62 грн
10+989.14 грн
20+836.91 грн
50+757.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-5-D-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-D-S-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1491.04 грн
5+1325.10 грн
10+1163.22 грн
20+905.65 грн
50+819.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-5-K-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-K-D-2 - Schlüsselschalter, Aus-(Ein), DPDT, IRL Series, 1 Position, Lötanschluss, 1 A
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Aus-(Ein)
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 1 Position
AC-Kontaktspannung, nom.: 115V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: DPDT
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1169.73 грн
5+992.40 грн
10+909.43 грн
20+741.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-5-K-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-K-S-2 - Schlüsselschalter, DPDT, IRL Impulsion, 2 Positionen, Lötanschluss, 1 A
Schaltwinkel: 60
Schalterfunktion: -
AC-Kontaktspannung, nom.: 115
Kontaktkonfiguration: DPDT
DC-Kontaktspannung, nom.: 24
Anzahl der Schalterpositionen: 2 Positionen
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
Kontaktstrom, max.: 1
Produktpalette: IRL Impulsion
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-5-L-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-L-D-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1134.75 грн
5+1008.67 грн
10+885.84 грн
20+748.54 грн
50+677.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-5-L-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-L-S-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1491.04 грн
5+1325.10 грн
10+1163.22 грн
20+905.65 грн
50+819.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-5-M-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-M-D-2 - Schlüsselschalter, Aus-(Ein), DPDT, IRL Impulsion, 1 Position, Lötanschluss, 1 A
tariffCode: 85365080
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Aus-(Ein)
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 1 Position
AC-Kontaktspannung, nom.: 115V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Impulsion
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: DPDT
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-5-M-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-M-S-2 - Schlüsselschalter, Aus-(Ein), DPDT, IRL Series, 1 Position, Lötanschluss, 1 A
tariffCode: 85365080
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Aus-(Ein)
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 1 Position
AC-Kontaktspannung, nom.: 115V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: DPDT
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1271.41 грн
5+1078.62 грн
10+988.33 грн
20+806.70 грн
50+678.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-5-R-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-R-D-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
Kontaktstrom, max.: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: IRL Series
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1134.75 грн
5+1008.67 грн
10+885.84 грн
20+748.54 грн
50+677.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-5-R-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-R-S-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1478.02 грн
5+1313.71 грн
10+1153.46 грн
20+975.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-CL2-01MEAN WELLLED Lighting Bars and Strips SW/WW 12V 3M LED RL 5700-6500/2900-3200K
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-P212E50SICK, Inc.Description: REF PHOTOELEC SWITCH
Packaging: Bulk
Adjustment Type: Adjustable, 9-Turn Potentiometer
Sensing Distance: 9.843" ~ 59.055" (250mm ~ 1.5m)
Sensing Method: Retroreflective
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Voltage - Supply: 19.2V ~ 27.6V
Response Time: 2ms
Ingress Protection: IP65
Connection Method: Connector, M12
Light Source: Red LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-RGB-01MEAN WELLLED Lighting Bars and Strips RGB 12V 3M LED Reel 620/515/460nm IP65
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL-RGBW-01MEAN WELLLED Lighting Bars and Strips RGBW 12V 3M LED Reel 620/515/460nm 5500K
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL02 200X200X1TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
Packaging: Bulk
Material: Polymer Resin, Magnetic Powder
Length: 7.874" (200.00mm)
Shape: Square
Type: Absorbing Sheet
Width: 7.874" (200.00mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Adhesive: Non-Conductive, Single Sided
Thickness - Overall: 0.039" (1.00mm)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL02 200X200X2TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL024B10Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL024B20Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL024B40Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL024F10Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL024F20Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL024F40Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL024P10Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL024P20Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL024P40Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL02A 200X200X1TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL02A 200X200X2TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL02AB 300X200X0.05TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL03AB 300X200X0.25TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL03AB 300X200X0.5TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL04EAB 300X200X0.25TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL04EAB 300X200X0.5TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL04EAB300X200X0.5TDKEMI Gaskets, Sheets & Absorbers 50MHz-10GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL04EAB300X200X0.50TDKEMI Gaskets, Sheets, Absorbers & Shielding
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL05AB 300X200X0.1TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004InfineonN-MOSFET 130A 40V 200W IRL1004 IRL1004 TIRL1004
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+133.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004International RectifierTO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+162.41 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.58 грн
50+143.94 грн
100+130.61 грн
500+100.64 грн
1000+93.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.71 грн
10+178.14 грн
100+118.76 грн
500+96.68 грн
1000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.57 грн
25+139.52 грн
100+108.07 грн
500+99.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+162.41 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBFInternational RectifierTO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+162.41 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.94 грн
5+123.37 грн
10+115.82 грн
15+110.78 грн
25+105.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF транзистор
Код товару: 198530
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 66.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.52 грн
10+44.56 грн
100+29.21 грн
500+21.22 грн
1000+19.23 грн
2000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.32 грн
8000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.35 грн
10+50.35 грн
100+30.33 грн
500+24.26 грн
1000+22.24 грн
2000+20.57 грн
4000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121International RectifierMOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104
Код товару: 99524
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3445/68
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+62.50 грн
10+58.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104LPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104SPBF
Код товару: 15420
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3445/68
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104SPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104STRLPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104STRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1104STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+144.12 грн
500+130.14 грн
1000+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+144.12 грн
500+130.14 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+144.12 грн
500+130.14 грн
1000+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBF
Код товару: 57532
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 21 шт:
17 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+144.12 грн
500+130.14 грн
1000+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBF-INFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+111.23 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404SPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.65 грн
10+157.19 грн
100+110.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+138.75 грн
500+131.22 грн
1000+124.76 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.02 грн
10+179.61 грн
25+155.48 грн
100+113.65 грн
800+87.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.61 грн
10+172.45 грн
100+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF
Код товару: 219024
Додати до обраних Обраний товар
VBSemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 100 шт:
100 шт - склад
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInternational RectifierTO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+149.50 грн
500+134.44 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF
Код товару: 34998
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 7 шт:
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+72.00 грн
10+66.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+149.50 грн
500+134.44 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.17 грн
10+173.26 грн
100+124.46 грн
500+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+149.50 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+103.82 грн
500+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBF
Код товару: 27885
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5080/75
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+40.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 75nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+111.86 грн
500+100.67 грн
1000+92.84 грн
10000+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+69.92 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.79 грн
1600+56.90 грн
2400+54.60 грн
4000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+75.70 грн
173+74.69 грн
176+73.67 грн
250+70.05 грн
500+63.96 грн
1000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.53 грн
10+109.05 грн
100+68.33 грн
500+60.59 грн
800+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+82.20 грн
10+81.11 грн
25+80.02 грн
100+76.11 грн
250+69.50 грн
500+65.78 грн
1000+64.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.23 грн
1600+70.81 грн
2400+68.63 грн
4000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+111.86 грн
500+100.67 грн
1000+92.84 грн
10000+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.92 грн
5+99.87 грн
10+91.48 грн
50+73.02 грн
100+67.98 грн
250+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.27 грн
10+110.13 грн
100+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+81.77 грн
1600+75.96 грн
2400+73.62 грн
4000+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRL1404ZSTRLPBF
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+111.86 грн
500+100.67 грн
1000+92.84 грн
10000+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1N12LHARTO-39;
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRL2203N TIRL2203n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203N(транзистор)
Код товару: 46039
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203N-029Infineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203N-029HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL2203NPBF - IRL2203 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 357361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
470+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 470
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRL2203NPBF
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+77.60 грн
500+69.83 грн
1000+64.40 грн
10000+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 416
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBFInternational RectifierTO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBF
Код товару: 74311
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 116 A
Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3290/60
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 515 шт:
479 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSPBF
Код товару: 1761
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTR
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRL
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRRIR0310+
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203STRLVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203STRRVishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2230NSIR
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505International RectifierN-MOSFET HEXFET 55V 104A 200W 0.008Ω IRL2505 TIRL2505
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505LPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 104A TO-262 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 104, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 5 В, Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од.
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBF
Код товару: 27992
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 131 шт:
105 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+66.00 грн
10+59.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2505PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFJSMSEMIN-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInternational RectifierTO-220,HEXFET Power MOSFET,Vdss = 55V,Id = 104A,Rds(on) = 0.008 Ohm,-55...+175 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInfineonN-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBF
Код товару: 191359
1 Додати до обраних Обраний товар
JSMicroТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 68 A
Rds(on), Ohm: 7,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1204/17,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 40 шт:
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58.00 грн
10+53.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFVBSEMIN-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SVBSEMI(TO-263) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SPBFInternational RectifierКод виробника: IRL2505STR (TO-263) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SPBF
Код товару: 18630
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
товару немає в наявності
1+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 86.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2505STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.09 грн
500+108.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.11 грн
10+185.22 грн
100+160.36 грн
800+99.70 грн
2400+82.27 грн
4800+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2505STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.32 грн
10+187.90 грн
100+187.09 грн
500+108.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703International RectifierN-MOSFET 30V 24A IRL2703 TIRL2703
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBFInternational RectifierГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
9+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 24A 400mOhm 10nC LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBF
Код товару: 114363
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703SPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703SPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910L
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910NSIR
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 48A 93.3nC 26mOhm LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBFInternational RectifierHEXFET TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBF
Код товару: 99525
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3700/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 50 шт:
24 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+95.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SPBF
Код товару: 118889
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 7 шт:
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+155.00 грн
10+142.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLInfineonTransistor N-MOSFET; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRL2910S; IRL2910STRL; IRL2910STRR; IRL2910S-GURT; IRL2910S; IRL2910STRL TIRL2910s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLInfineonTransistor N-MOSFET; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRL2910S; IRL2910STRL; IRL2910STRR; IRL2910S-GURT; IRL2910S; IRL2910STRL TIRL2910s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.26 грн
10+190.35 грн
100+147.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.05 грн
10+169.04 грн
100+118.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+311.48 грн
63+205.65 грн
100+202.20 грн
500+146.86 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.85 грн
1600+76.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.79 грн
10+164.37 грн
100+108.07 грн
500+94.82 грн
800+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET PLANAR >= 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+164.56 грн
500+155.95 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910SZIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102PBFIR
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102SPBFInternational Rectifier(TO-263) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3102STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103
Код товару: 189656
Додати до обраних Обраний товар
JSMicroТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
Монтаж: THT
у наявності 162 шт:
119 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.00 грн
10+34.50 грн
100+29.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103
Код товару: 7965
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2500/58
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.50 грн
10+18.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103International RectifierMOSFET N-CH 30V 64A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1STRLIOR2000
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1STRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1STRLPInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1STRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1STRRVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D1STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D2SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D2SInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D2STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103D2STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103LHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103LPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3103PBF - IRL3103 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 64A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103PBF
Код товару: 52399
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1650/33
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+40.00 грн
10+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 56A 12mOhm 22nC LogLvlAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103S
Код товару: 24772
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103SHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103SPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 12mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLIR01+ TO263
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+58.17 грн
1000+53.65 грн
10000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 555
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 134913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+58.17 грн
1000+53.65 грн
10000+47.83 грн
100000+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 555
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+58.17 грн
1000+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 555
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3103STRLPBF - IRL3103 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRRHARRIS2001
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3104SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3202LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 48A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3202PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3202PBF
Код товару: 56364
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3202SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3202SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3202STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3215
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 166mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3215
Код товару: 55948
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3215HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3215PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.44 грн
25+175.16 грн
100+100.49 грн
500+84.45 грн
1000+62.56 грн
2500+58.47 грн
5000+56.10 грн
10000+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3215PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=20V, Id=39A@T=25C, Rds=20mOhm @Vgs=7V, P=57W, -55 to 175C).... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302LInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 39A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 8.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302STInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 20.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3302STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1S
Код товару: 79756
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 30 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+29.00 грн
10+26.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1SInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1SPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1STRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1STRRVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303D1STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303PBFIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303SPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3303STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402LInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 52nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402SPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3402STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502LInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 8mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.52 грн
25+178.85 грн
100+125.38 грн
500+116.46 грн
1000+103.71 грн
2500+96.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3502STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NInternational RectifierHEXFET Power MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NL
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NLPBF
Код товару: 28463
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-262
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.55 грн
10+97.77 грн
25+87.62 грн
50+80.23 грн
100+72.60 грн
250+63.28 грн
500+56.73 грн
1000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF
Код товару: 24017
4 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 377 шт:
302 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
69 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+30.00 грн
10+27.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 3343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.68 грн
10+115.94 грн
100+79.51 грн
500+59.99 грн
1000+55.28 грн
2000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+79.72 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.46 грн
10+149.67 грн
100+103.31 грн
500+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+137.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.91 грн
10+201.19 грн
100+137.97 грн
500+106.95 грн
1000+91.28 грн
2000+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInternational RectifierTO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.23 грн
10+121.07 грн
100+73.91 грн
500+59.75 грн
1000+55.01 грн
2000+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF/IRIR08+;
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSIRL3705NS Транзисторы HEXFET
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NS
Код товару: 37577
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSPBFInternational RectifierD2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSPBFInfineonКод виробника: IRL3705NSPBF D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.64 грн
10+226.14 грн
50+196.04 грн
100+154.09 грн
250+139.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+132.29 грн
500+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.05 грн
10+200.46 грн
100+128.29 грн
500+71.12 грн
800+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+132.29 грн
500+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.09 грн
250+139.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705PBFIRTO-220AB
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705Z
Код товару: 99526
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.36 грн
10+180.41 грн
100+128.29 грн
500+105.28 грн
1000+87.85 грн
2000+85.06 грн
10000+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+149.50 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZPBF
Код товару: 113435
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 27 шт:
4 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+42.00 грн
10+37.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.84 грн
10+105.75 грн
100+96.80 грн
500+83.84 грн
1000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZPBFInternational RectifierHEXFET Power MOSFET N-канальный, 75A, 55V, 130W, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+115.08 грн
500+103.58 грн
1000+95.52 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 40nC
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSPBF
Код товару: 26657
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+30.50 грн
10+26.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+226.16 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.04 грн
10+145.61 грн
50+123.64 грн
100+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.08 грн
10+129.89 грн
100+79.48 грн
800+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713International RectifierN-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+247.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713International RectifierN-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+247.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713L(94-2390)
на замовлення 7095 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+133.37 грн
500+120.46 грн
1000+110.78 грн
10000+95.17 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713PBF
Код товару: 35005
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 60 шт:
50 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+85.00 грн
10+77.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713PBFInternational RectifierTO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713PBF
Код товару: 198923
Додати до обраних Обраний товар
VBsemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+70.00 грн
10+65.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713SPBF
Код товару: 28823
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRLIOR
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3713STRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714L
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714STRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714STRL
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714STRR
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714STRRPBF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3714ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715LIORD-PAK
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715LInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715LPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715SInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 54A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715STRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715STRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715STRRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715TRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715TRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715TRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715TRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715TRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715Z
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCSTRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCSTRLIOR2003
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCSTRLPInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCSTRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCSTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZCSTRRPInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 50A 7nC 11mOhm Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZSPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Qg Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3715ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716LInternational RectifierN-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
кількість в упаковці: 11 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
11+111.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716LPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716PBF
Код товару: 98084
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3716PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 210
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716STRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3716STRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3717SIR07+ TO-263
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803LPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 140A TO-262 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803PBFInternational RectifierГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803PBF
Код товару: 28690
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 36 шт:
4 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803PBFIRL3803PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803SInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803S smd TIRL3803s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803SPB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803SPBFIR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLIR04+ TO-263
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.46 грн
10+137.47 грн
100+109.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+144.12 грн
500+130.14 грн
1000+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBFInternational RectifierDescription: IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.43 грн
10+147.53 грн
100+91.34 грн
800+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3803STRRPBF - IRL3803STR - PLANAR <40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+107.33 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRRPBF
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+136.59 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VL
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 140A 50.7nC 5.5mOhm LogLvAB
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.0055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 140
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSPBFIR
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 140A 5.5mOhm 50.7nC LogLv
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209
Код товару: 168507
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209Infineon TechnologiesMOSFETs 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lv
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL40B209 - IRL40B209 - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+139.91 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209InfineonMOSFET N-CH 40V 195A TO-220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+226.30 грн
90+143.69 грн
111+117.02 грн
500+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212INFINEONDescription: INFINEON - IRL40B212 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.08 грн
10+254.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212Infineon TechnologiesMOSFETs 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.00 грн
10+170.79 грн
100+116.44 грн
500+97.61 грн
1000+93.43 грн
3000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+151.65 грн
500+136.59 грн
1000+125.84 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+151.65 грн
500+136.59 грн
1000+125.84 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.00 грн
100+106.64 грн
500+88.55 грн
1000+80.88 грн
3000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+132.38 грн
103+126.46 грн
250+121.38 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL40B215 - IRL40B215 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+104.12 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+151.65 грн
500+136.59 грн
1000+125.84 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.81 грн
10+152.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.87 грн
500+79.31 грн
1000+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.40 грн
1600+43.94 грн
2400+42.09 грн
4000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.96 грн
10+129.34 грн
100+100.87 грн
500+79.31 грн
1000+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 14364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.31 грн
10+95.55 грн
100+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+107.52 грн
126+102.71 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.69 грн
250+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.82 грн
10+204.09 грн
100+144.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209InfineonMOSFET N-CH 40V 478A D2PAK-7 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.76 грн
10+246.47 грн
50+213.94 грн
100+167.69 грн
250+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 20385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.53 грн
10+218.90 грн
100+139.45 грн
500+133.17 грн
800+109.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 267nC
On-state resistance: 600µΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 478A
Case: D2PAK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon
на замовлення 363200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.97 грн
10+218.10 грн
100+139.45 грн
500+126.20 грн
800+110.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.69 грн
250+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
на замовлення 5109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.17 грн
10+205.68 грн
100+145.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+376.44 грн
52+249.61 грн
53+247.12 грн
100+173.82 грн
250+159.34 грн
500+112.03 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.22 грн
5+217.37 грн
10+193.87 грн
25+165.34 грн
50+151.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.33 грн
10+267.44 грн
25+264.77 грн
100+186.24 грн
250+170.72 грн
500+120.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228InfineonN-Channel 557A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.01 грн
10+245.66 грн
50+213.12 грн
100+167.69 грн
250+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.75 грн
1600+107.04 грн
2400+103.32 грн
4000+96.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+173.16 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228
Код товару: 204213
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+378.61 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+92.15 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.75 грн
10+156.99 грн
100+116.32 грн
500+92.15 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510SiliconixN-MOSFET 100V 5.6A IRL510 TIRL510
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510AONS/FAIГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510LVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510L
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.29 грн
10+62.53 грн
50+47.84 грн
100+43.89 грн
250+39.19 грн
500+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.78 грн
13+63.86 грн
100+57.10 грн
500+42.00 грн
1000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+80.71 грн
175+73.96 грн
250+66.13 грн
500+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+40.84 грн
336+38.42 грн
368+35.16 грн
500+32.52 грн
1000+28.28 грн
2000+26.85 грн
5000+25.66 грн
10000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.96 грн
10+62.62 грн
100+48.67 грн
500+38.56 грн
1000+35.28 грн
2000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.92 грн
50+62.32 грн
100+55.72 грн
500+41.43 грн
1000+37.93 грн
2000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.81 грн
50+41.22 грн
100+37.71 грн
500+34.89 грн
1000+30.33 грн
2000+28.79 грн
5000+27.53 грн
10000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.59 грн
10+62.62 грн
100+45.95 грн
500+38.56 грн
1000+35.28 грн
2000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.92 грн
50+62.32 грн
100+55.72 грн
500+41.43 грн
1000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510SPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.23 грн
10+93.01 грн
100+54.52 грн
500+40.93 грн
800+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.82 грн
10+92.15 грн
100+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520LPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.27 грн
10+101.03 грн
100+68.75 грн
500+50.76 грн
1000+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 100V 10A 48W 0.180Ω IRL520N TIRL520n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520N
Код товару: 440
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1000+2887.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
659+48.99 грн
1000+45.18 грн
10000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 659
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 201100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
659+48.99 грн
1000+45.18 грн
10000+40.28 грн
100000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 659
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NPBFInternational RectifierN-Channel, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL520NPBF - IRL520N 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
659+48.99 грн
1000+45.18 грн
10000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 659
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 10A 13.3nC 180mOhm LogLvAB
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.92 грн
10+53.88 грн
100+41.69 грн
500+32.91 грн
1000+29.91 грн
2000+27.40 грн
5000+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSPBFInternational RectifierD2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.04 грн
10+80.33 грн
25+71.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLInfineonN-MOSFET HEXFET 100V 10A 3.8W 0.18Ω IRL520NS TIRL520ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv
на замовлення 25550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.95 грн
10+80.98 грн
100+48.11 грн
500+47.90 грн
800+32.91 грн
4800+31.24 грн
9600+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.20 грн
10+84.60 грн
100+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 193967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+65.47 грн
548+58.92 грн
1000+54.34 грн
10000+46.71 грн
100000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 493
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRLPBFInternational RectifierD2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.47 грн
18+41.25 грн
19+39.18 грн
50+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+37.09 грн
363+35.61 грн
500+34.32 грн
1000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.64 грн
10+112.25 грн
100+70.44 грн
500+52.04 грн
1000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBFVishay SiliconixКод виробника: SiHL520 TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.00 грн
10+68.56 грн
100+55.15 грн
500+45.60 грн
1000+41.76 грн
2000+38.56 грн
5000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.44 грн
10+74.25 грн
100+51.25 грн
500+42.67 грн
1000+36.95 грн
2000+35.28 грн
5000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520S
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520SVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NInternational RectifierГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NPBF
Код товару: 79755
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+26.00 грн
10+23.40 грн
100+21.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 54998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+56.00 грн
1000+51.64 грн
10000+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 577
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NPBFInternational RectifierTO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+120.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NPBF
Код товару: 205815
Додати до обраних Обраний товар
JSMSEMIТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 49 шт:
11 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 100 мОм @ 9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSIRTO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL530NSPBF - IRL530NS 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLInfineonTransistor N-Channel MOSFET HEXFET; 100V; 20V; 100mOhm; 17A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRL530NSTRL; IRL530NS; IRL530NS-GURT; IRL530NSTRR; IRL530NS TIRL530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+66.81 грн
195+66.31 грн
233+55.46 грн
250+52.94 грн
500+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.34 грн
10+87.62 грн
50+61.77 грн
100+52.87 грн
125+50.27 грн
250+43.47 грн
500+38.61 грн
800+36.34 грн
1600+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.45 грн
250+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF
Код товару: 207028
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.98 грн
1600+40.80 грн
2400+39.02 грн
4000+34.75 грн
5600+33.64 грн
8000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.91 грн
10+88.20 грн
100+51.67 грн
500+43.16 грн
800+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.62 грн
10+100.87 грн
50+84.60 грн
100+63.45 грн
250+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.63 грн
11+71.59 грн
25+71.05 грн
100+57.29 грн
250+52.52 грн
500+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 30866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.76 грн
10+87.62 грн
100+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRPBF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+78.04 грн
500+70.24 грн
1000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 414
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 100mOhms
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.63 грн
100+98.62 грн
500+73.91 грн
800+40.65 грн
2400+37.72 грн
4800+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+78.04 грн
500+70.24 грн
Мінімальне замовлення: 414
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+59.90 грн
253+51.06 грн
500+47.17 грн
800+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.74 грн
12+64.17 грн
100+54.71 грн
500+48.73 грн
800+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+78.04 грн
500+70.24 грн
Мінімальне замовлення: 414
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBFVishay SemiconductorsMOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.22 грн
10+68.40 грн
100+47.13 грн
500+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.14 грн
10+131.78 грн
100+129.34 грн
500+117.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBFVishay DaleMOSFET N-Chan 100V 15 Amp Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.11 грн
10+77.70 грн
100+60.80 грн
500+49.85 грн
1000+49.78 грн
2000+48.95 грн
5000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530S
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 100V 15 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540-VBVBsemiTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540-VBVBsemiTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540Aonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel a-FET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+88.09 грн
500+79.28 грн
1000+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540AONSEMIDescription: ONSEMI - IRL540A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+88.09 грн
500+79.28 грн
1000+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540N; IRL540N TIRL540
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,36A,0.044 OM,TO-220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N UMW TIRL540 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540N-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 28A; 80W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N-CN CHIPNOBO TIRL540 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NLPBFInternational RectifierPower MOSFET, TO-262, 100V, 0,044 Ohm, 36A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.40 грн
12+71.99 грн
100+64.26 грн
500+47.21 грн
1000+39.67 грн
5000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+76.97 грн
170+76.21 грн
207+62.36 грн
500+49.55 грн
1000+44.07 грн
2000+40.19 грн
5000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,36A,0.044 OM,TO-220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
6+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 44mΩ
Gate charge: 49.3nC
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.90 грн
10+76.54 грн
25+64.37 грн
50+53.21 грн
100+44.31 грн
250+37.35 грн
500+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 22186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.56 грн
50+61.03 грн
100+54.51 грн
500+40.45 грн
1000+37.00 грн
2000+34.10 грн
5000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+82.74 грн
50+81.91 грн
100+67.03 грн
500+53.26 грн
1000+47.36 грн
2000+43.21 грн
5000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
на замовлення 26050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.51 грн
10+61.42 грн
100+47.76 грн
500+37.72 грн
1000+34.37 грн
2000+32.63 грн
5000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF
Код товару: 25626
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 131 шт:
102 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+56.00 грн
10+50.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,36A,0.044 OM,TO-252) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NS
Код товару: 99527
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSIRL540NS Транзисторы HEXFET
на замовлення 91 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSCIR
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,36A,0.044 OM,TO-252) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 49.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL540NSPBF - IRL540NS 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSPBFFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: ш
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+79.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.36 грн
10+130.96 грн
50+111.44 грн
100+84.60 грн
250+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.15 грн
1600+56.33 грн
2400+54.05 грн
4000+48.32 грн
5600+46.90 грн
8000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 93600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
16+40.15 грн
17+37.47 грн
100+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.16 грн
10+100.13 грн
25+99.13 грн
100+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 93600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.60 грн
250+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 20549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.25 грн
10+116.62 грн
100+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.21 грн
10+113.86 грн
100+71.82 грн
500+56.20 грн
800+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.11 грн
10+101.55 грн
50+82.25 грн
100+73.02 грн
250+62.11 грн
500+53.71 грн
800+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF
Код товару: 42050
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2200/64
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+24.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.97 грн
10+117.07 грн
100+92.73 грн
500+76.70 грн
1000+73.21 грн
10000+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.64 грн
10+121.88 грн
100+85.06 грн
500+71.12 грн
1000+68.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SIRSOT263 10+
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRL540SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVISHAY
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+193.51 грн
75+172.86 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.27 грн
10+125.08 грн
100+99.70 грн
500+97.61 грн
1000+96.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.34 грн
10+185.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.78 грн
10+120.39 грн
100+109.00 грн
500+80.82 грн
1000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602IR04+
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602S
Код товару: 26008
3 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 20 V
Id,A: 24 A
Rds(on),Om: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1460/44
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 499 шт:
499 шт - склад
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SPBF
Код товару: 53985
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 20 V
Id,A: 24 A
Rds(on),Om: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1460/44
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL5602SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.