Продукція > IRL > IRLL2703PBF

IRLL2703PBF


IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник:
IRLL2703PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL2703PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223, Packaging: Tube, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLL2703PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLL2703PBF IRLL2703PBF
Код товару: 32443
Виробник : IR IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 530/9,3
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLL2703PBF IRLL2703PBF Виробник : Infineon Technologies irll2703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
товар відсутній
IRLL2703PBF IRLL2703PBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товар відсутній
IRLL2703PBF IRLL2703PBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRLL2703_DataSheet_v01_01_EN-1732927.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 9.3nC
товар відсутній