IRLL2703PBF
Код товару: 32443
Виробник: IRUds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 530/9,3
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 5 шт:
5 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLL2703PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLL2703PBF |
IRLL2703PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 108 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||
 |
IRLL2703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLL2703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLL2703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 9.3nC |
товару немає в наявності |