IRLML2030TRPBF
Код товару: 38414
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/1.0
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 659 шт
- 562 шт - склад
- 32 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML2030TRPBF за ціною від 5.43 грн до 39.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
на замовлення 21419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 543 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
на замовлення 21419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC |
на замовлення 59258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 119 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 1 @ 4,5 В, Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLML2030TRPBF |
IRLML2030TRPBF Транзисторы |
на замовлення 107 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.75 грн |
| 6000+ | 6.99 грн |
| 9000+ | 5.95 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.75 грн |
| 6000+ | 6.99 грн |
| 9000+ | 5.95 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 21419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.18 грн |
| 500+ | 7.94 грн |
| 1000+ | 6.56 грн |
| 5000+ | 5.43 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 954+ | 14.86 грн |
| 1280+ | 11.08 грн |
| 1446+ | 9.81 грн |
| 3000+ | 7.68 грн |
| 6000+ | 6.42 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 17.69 грн |
| 69+ | 10.98 грн |
| 70+ | 10.87 грн |
| 100+ | 7.55 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 560+ | 25.33 грн |
| 581+ | 24.42 грн |
| 1000+ | 23.62 грн |
| 2500+ | 22.10 грн |
| 5000+ | 19.91 грн |
| 10000+ | 18.65 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 27.16 грн |
| 20+ | 21.01 грн |
| 23+ | 18.32 грн |
| 100+ | 10.76 грн |
| 500+ | 7.56 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 21419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 28.35 грн |
| 48+ | 17.11 грн |
| 100+ | 10.18 грн |
| 500+ | 7.94 грн |
| 1000+ | 6.56 грн |
| 5000+ | 5.43 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.99 грн |
| 16+ | 19.67 грн |
| 100+ | 12.35 грн |
| 500+ | 8.62 грн |
| 1000+ | 7.67 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
MOSFETs MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
на замовлення 59258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.92 грн |
| 12+ | 27.38 грн |
| 100+ | 15.01 грн |
| 500+ | 9.43 грн |
| 1000+ | 8.24 грн |
| 3000+ | 7.26 грн |
| 6000+ | 6.21 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 1 @ 4,5 В, Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 1 @ 4,5 В, Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.85 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
IRLML2030TRPBF Транзисторы
на замовлення 107 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRLML0060TRPBF Код товару: 38412
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1536 шт
- 344 шт - склад
- 371 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 295 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 185 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 341 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |
| TSOP34836 Код товару: 22030
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори
Vceo,V: 2,5...5,5 V
Додатково: Частота: 36 кГц
Тип: Фотоприймач
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори
Vceo,V: 2,5...5,5 V
Додатково: Частота: 36 кГц
Тип: Фотоприймач
у наявності: 569 шт
- 538 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 29.00 грн |
| 10+ | 26.40 грн |
| IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7800 шт
- 6119 шт - склад
- 72 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 334 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 928 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 347 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 14116 шт
- 13949 шт - склад
- 167 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100 шт
- 100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| IRLML9303TRPBF Код товару: 38416
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,165 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 160/2.0
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,165 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 160/2.0
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2825 шт
- 2498 шт - склад
- 39 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 85 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 103 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
- 100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.70 грн |








