Продукція > VISHAY > IRLR110TRPBF
IRLR110TRPBF

IRLR110TRPBF Vishay

sihlr110.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR110TRPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLR110TRPBF за ціною від 19.04 грн до 84.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Виробник : Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Виробник : Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Виробник : Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Виробник : Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.42 грн
10+48.36 грн
100+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihlr110.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 23070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.03 грн
10+56.60 грн
100+43.33 грн
250+43.26 грн
500+40.68 грн
1000+35.68 грн
2000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF
Код товару: 61266
Додати до обраних Обраний товар

sihlr110.pdf
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Виробник : Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.1nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.1nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.