Продукція > IRL > IRLR110TRPBF

IRLR110TRPBF


sihlr110.pdf
Код товару: 61266
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
8542 39 90 00
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR110TRPBF за ціною від 32.56 грн до 146.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.25 грн
4000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.50 грн
4000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.63 грн
4000+38.21 грн
6000+36.76 грн
10000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Vishay Semiconductors sihlr110.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.94 грн
10+71.81 грн
100+40.81 грн
500+33.34 грн
10000+32.63 грн
24000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.69 грн
10+90.18 грн
100+60.98 грн
500+45.48 грн
1000+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF sihlr110.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+36.25 грн
4000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF sihlr110.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+36.50 грн
4000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF sihlr110.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+42.63 грн
4000+38.21 грн
6000+36.76 грн
10000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF sihlr110.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.94 грн
10+71.81 грн
100+40.81 грн
500+33.34 грн
10000+32.63 грн
24000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF sihlr110.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.69 грн
10+90.18 грн
100+60.98 грн
500+45.48 грн
1000+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.