Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT5551 Jingdao
MMBT5551

MMBT5551 Jingdao

Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
Код товару: 200829
Виробник: Jingdao
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності 2534 шт:
2192 шт - склад
158 шт - РАДІОМАГ-Київ
91 шт - РАДІОМАГ-Львів
93 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
36+1.40 грн
63+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT5551 за ціною від 0.44 грн до 4217.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.35 грн
6000+1.15 грн
9000+1.07 грн
15000+0.92 грн
21000+0.87 грн
30000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.70 грн
6000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7654+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 7654
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4703+2.78 грн
5618+2.33 грн
6225+2.10 грн
9000+1.93 грн
21000+1.64 грн
30000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 4703
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.29 грн
1000+2.65 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
125+3.62 грн
200+2.10 грн
248+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5769+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 5769
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 390908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5769+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 5769
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8696+3.76 грн
10000+3.36 грн
100000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 8696
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 387908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8696+3.76 грн
10000+3.36 грн
100000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 8696
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
75+4.35 грн
120+2.62 грн
176+1.73 грн
250+1.45 грн
500+1.30 грн
1000+1.21 грн
3000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76697 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.69 грн
53+5.97 грн
100+3.31 грн
500+2.28 грн
1000+1.98 грн
3000+1.66 грн
6000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : FUXINSEMI 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : MDD(Microdiode Electronics) 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html 160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : HOTTECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 160587
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+50.00 грн
10+5.00 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : EVVO 5272_MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.86 грн
68+4.96 грн
111+3.04 грн
500+2.05 грн
1000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : AnBon 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : DIOTEC 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html NPN 600mA 160V 350mW 100MHz MMBT5551 smd TMMBT5551
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : HT Jinyu Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html NPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10639+1.23 грн
60000+1.06 грн
300000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 10639
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 (транзистор біполярний NPN) MMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 4153
Додати до обраних Обраний товар

MMBT5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+50.00 грн
10+5.00 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : MDD MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_3.html Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+4.37 грн
134+2.52 грн
223+1.51 грн
500+0.99 грн
1000+0.84 грн
3000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 76697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.24 грн
88+4.79 грн
153+2.76 грн
500+1.90 грн
1000+1.65 грн
3000+1.39 грн
6000+1.25 грн
9000+1.19 грн
21000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.86 грн
103+3.28 грн
168+2.01 грн
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.86 грн
80+4.20 грн
132+2.56 грн
500+1.72 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.73 грн
65+5.21 грн
106+3.18 грн
500+2.15 грн
1000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+11.30 грн
52+7.15 грн
100+3.79 грн
500+2.74 грн
1000+2.42 грн
3000+1.78 грн
9000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.35 грн
53+6.39 грн
100+3.94 грн
500+2.67 грн
1000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+12.41 грн
116+7.86 грн
187+4.86 грн
500+3.29 грн
1000+2.65 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+4217.13 грн
100+3384.07 грн
1000+2707.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : Microdiode Electronics 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor Diode
на замовлення 8382000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10345+1.26 грн
3126000+1.16 грн
4689000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 10345
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : LITEON 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Rectron SOT-23_Power_Transistors.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : EVVO 5272_MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMBT5401
Код товару: 160586
Додати до обраних Обраний товар

mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
MMBT5401
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+50.00 грн
10+5.00 грн
100+0.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148
Код товару: 2413
Додати до обраних Обраний товар

LL4148-D.PDF ll4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf LL4148.pdf 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4148
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 30273 шт
22622 шт - склад
1838 шт - РАДІОМАГ-Київ
2251 шт - РАДІОМАГ-Львів
464 шт - РАДІОМАГ-Харків
3098 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
50+1.00 грн
100+0.50 грн
125+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148W
Код товару: 176823
Додати до обраних Обраний товар

datasheet-1n4148w.pdf
1N4148W
Виробник: JINGDAO
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., V: 75 V
Iвипр., A: 0,15 A
Опис: імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+50.00 грн
10+5.00 грн
100+0.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 17873
Додати до обраних Обраний товар

BC817-40.pdf
BC817-40 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+50.00 грн
10+5.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L7805CV
Код товару: 24792
Додати до обраних Обраний товар

L7800 series.pdf
L7805CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 1,5 А
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…125°C
у наявності: 2615 шт
2379 шт - склад
62 шт - РАДІОМАГ-Київ
66 шт - РАДІОМАГ-Львів
64 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.