MMBT5551 Jingdao
Код товару: 200829
Виробник: JingdaoКорпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності 1836 шт:
1836 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.4 грн |
10+ | 0.8 грн |
100+ | 0.64 грн |
1000+ | 0.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMBT5551 за ціною від 0.61 грн до 3751.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3L Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diotec Electronics | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 414108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 215211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diotec Electronics | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : MDD |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 504000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3L Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 4128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 5480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: BJT SOT-23 160V 600MA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited |
Description: Small Signal Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : HOTTECH |
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : HOTTECH |
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : AnBon |
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Microdiode Electronics | Transistor Diode |
на замовлення 840000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor | NPN Transistor |
на замовлення 166665000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 12575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : ONS | Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfe=80/250 |
на замовлення 4253 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 12575 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : NTE Electronics, Inc. | MMBT5551 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) |
на замовлення 4952 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : DIOTEC | NPN 600mA 160V 350mW 100MHz MMBT5551 smd TMMBT5551 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551 - TRANSISTORS (BJT) - SINGLE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: BJT SOT-23 160V 600MA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : EVVO |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 Код товару: 160587 |
Виробник : Yangjie |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 300 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Frequency: 100...300MHz |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Rectron | Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : EVVO |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4153 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 250 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|