Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > R6020ENJTL

R6020ENJTL

datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Код товару: 216320
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції R6020ENJTL за ціною від 77.32 грн до 315.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6020ENJTL R6020ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.58 грн
2000+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL ROHM r6020enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.77 грн
200+145.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.98 грн
10+165.13 грн
100+103.55 грн
500+91.12 грн
1000+78.01 грн
2000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.30 грн
10+156.83 грн
100+109.88 грн
500+91.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Rohm Semiconductor r6020enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.23 грн
59+243.58 грн
100+235.31 грн
250+220.03 грн
500+198.19 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL ROHM r6020enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.22 грн
10+192.49 грн
50+174.77 грн
200+145.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Rohm Semiconductor r6020enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.63 грн
64+223.96 грн
100+221.13 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+86.58 грн
2000+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL r6020enjtl-e.pdf
R6020ENJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+174.77 грн
200+145.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENJTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.98 грн
10+165.13 грн
100+103.55 грн
500+91.12 грн
1000+78.01 грн
2000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.30 грн
10+156.83 грн
100+109.88 грн
500+91.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL r6020enjtl-e.pdf
R6020ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+253.23 грн
59+243.58 грн
100+235.31 грн
250+220.03 грн
500+198.19 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL r6020enjtl-e.pdf
R6020ENJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+272.22 грн
10+192.49 грн
50+174.77 грн
200+145.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL r6020enjtl-e.pdf
R6020ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+315.63 грн
64+223.96 грн
100+221.13 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

RGT50NS65DGTL
Код товару: 216321
Додати до обраних Обраний товар
datasheet?p=RGT50NS65D(LPDS)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL
Код товару: 204222
Додати до обраних Обраний товар
rgt8ns65d-e.pdf
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.