R6020ENJTL


datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Код товару: 216320
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції R6020ENJTL за ціною від 77.89 грн до 310.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6020ENJTL R6020ENJTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+87.21 грн
2000+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Виробник : ROHM r6020enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+176.05 грн
200+146.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.71 грн
10+166.34 грн
100+104.31 грн
500+91.79 грн
1000+78.58 грн
2000+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Виробник : Rohm Semiconductor r6020enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+249.29 грн
59+239.79 грн
100+231.65 грн
250+216.61 грн
500+195.11 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.13 грн
10+157.98 грн
100+110.68 грн
500+91.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Виробник : ROHM r6020enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+274.22 грн
10+193.90 грн
50+176.05 грн
200+146.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Виробник : Rohm Semiconductor r6020enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+310.72 грн
64+220.48 грн
100+217.69 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

RGT50NS65DGTL
Код товару: 216321
Додати до обраних Обраний товар
datasheet?p=RGT50NS65D(LPDS)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL
Код товару: 204222
Додати до обраних Обраний товар
rgt8ns65d-e.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.