Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції RGT50NS65DGTL за ціною від 96.66 грн до 402.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT50NS65DGTL | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGT50NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 194 W |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGT50NS65DGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGT50NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RGT50NS65DGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
RGT50NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 194 W |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| R6020ENJTL Код товару: 216320
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RGT8NS65DGTL Код товару: 204222
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.