Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції RGT8NS65DGTL за ціною від 45.70 грн до 144.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RGT8NS65DGTL | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RGT8NS65DGTL | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
RGT8NS65DGTL | ROHM |
Description: ROHM - RGT8NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263S Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RGT8NS65DGTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 64.17 грн |
| RGT8NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench
IGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 144.17 грн |
| 10+ | 90.50 грн |
| 100+ | 53.92 грн |
| 500+ | 45.70 грн |
| RGT8NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGT8NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263S
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGT8NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263S
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 144.97 грн |
| 10+ | 136.92 грн |
| 100+ | 95.04 грн |
| 500+ | 68.80 грн |
З цим товаром купують
| RGT50NS65DGTL Код товару: 216321
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| R6020ENJTL Код товару: 216320
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RFN10NS6SFHTL Код товару: 204221
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| R1114D401B-TR-FE Код товару: 204220
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TLP152(E) оптопара Код товару: 197936
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




