RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 221+ | 57.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGT8NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263S, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGT8NS65DGTL за ціною від 52.99 грн до 167.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT8NS65DGTL | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RGT8NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263S Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RGT8NS65DGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RGT8NS65DGTL Код товару: 204222
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
 |
RGT8NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 13.5 nC Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 65 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
RGT8NS65DGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 13.5 nC Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 65 W |
товару немає в наявності |