Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT8NS65DGTL
RGT8NS65DGTL

RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor

rgt8ns65d-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: LPDS, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns, Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 13.5 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 65 W.

Інші пропозиції RGT8NS65DGTL за ціною від 39.84 грн до 149.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGT8NS65DGTL RGT8NS65DGTL Виробник : ROHM Semiconductor rgt8ns65d-e.pdf IGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.22 грн
10+108.26 грн
100+66.27 грн
500+54.45 грн
1000+45.56 грн
2000+40.37 грн
5000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL RGT8NS65DGTL Виробник : ROHM rgt8ns65d-e.pdf Description: ROHM - RGT8NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263S
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.53 грн
10+96.31 грн
100+66.40 грн
500+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL RGT8NS65DGTL Виробник : Rohm Semiconductor rgt8ns65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL
Код товару: 204222
Додати до обраних Обраний товар

rgt8ns65d-e.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL RGT8NS65DGTL Виробник : Rohm Semiconductor rgt8ns65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGTL RGT8NS65DGTL Виробник : Rohm Semiconductor rgt8ns65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.