Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > R6030KNX

R6030KNX

r6030knx-e.pdf
Код товару: 203153
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції R6030KNX за ціною від 127.33 грн до 355.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6030KNX R6030KNX Rohm Semiconductor r6030knx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.80 грн
10+208.48 грн
100+148.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNX R6030KNX ROHM Semiconductor r6030knx-e.pdf MOSFETs Nch 600V 30A Si MOSFET
на замовлення 259 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+355.49 грн
10+231.91 грн
100+143.52 грн
500+142.78 грн
1000+137.63 грн
2500+133.22 грн
5000+127.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNX R6030KNX ROHM ROHM-S-A0008264947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - R6030KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.115
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNX R6030KNX Rohm Semiconductor r6030knx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNX r6030knx-e.pdf
R6030KNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.80 грн
10+208.48 грн
100+148.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNX r6030knx-e.pdf
R6030KNX
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 600V 30A Si MOSFET
на замовлення 259 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+355.49 грн
10+231.91 грн
100+143.52 грн
500+142.78 грн
1000+137.63 грн
2500+133.22 грн
5000+127.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNX ROHM-S-A0008264947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
R6030KNX
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6030KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.115
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNX r6030knx-e.pdf
R6030KNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.