
R6030KNX Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 366.07 грн |
10+ | 234.04 грн |
100+ | 166.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6030KNX Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6030KNX за ціною від 126.54 грн до 387.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6030KNX | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
R6030KNX | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
R6030KNX Код товару: 203153
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|