WNSC2D08650Q

WNSC2D08650Q WeEn Semiconductors


WNSC2D08650-2902689.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.19 грн
10+140.58 грн
100+99.61 грн
500+83.76 грн
1000+76.22 грн
2000+73.88 грн
5000+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D08650Q WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: NO, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції WNSC2D08650Q за ціною від 59.43 грн до 190.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNSC2D08650Q WNSC2D08650Q Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS 3672596.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+187.93 грн
10+137.13 грн
100+110.05 грн
500+73.50 грн
1000+61.17 грн
2000+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650Q WNSC2D08650Q Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D08650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.19 грн
50+99.15 грн
100+90.43 грн
500+70.32 грн
1000+65.58 грн
2000+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650Q
Код товару: 203152
Додати до обраних Обраний товар

WNSC2D08650.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.