WNSC2D08650Q

WNSC2D08650Q WeEn Semiconductors


WNSC2D08650-2902689.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.80 грн
10+137.06 грн
100+97.11 грн
500+81.66 грн
1000+74.30 грн
2000+72.02 грн
5000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2D08650Q WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: NO, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції WNSC2D08650Q за ціною від 57.93 грн до 185.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNSC2D08650Q WNSC2D08650Q Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS 3672596.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.21 грн
10+133.70 грн
100+107.29 грн
500+71.65 грн
1000+59.63 грн
2000+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650Q WNSC2D08650Q Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2D08650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.42 грн
50+96.67 грн
100+88.17 грн
500+68.55 грн
1000+63.93 грн
2000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650Q
Код товару: 203152
Додати до обраних Обраний товар

WNSC2D08650.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.