RM4Z

Виробник:

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис RM4Z

Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Axial, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: Axial, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції RM4Z

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	RM 4Z	Sanken Electric USA Inc.	Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: Axial Packaging: Bulk	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

RM 4Z

Виробник: Sanken Electric USA Inc.
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Axial
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.