RM4Z

Виробник:

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис RM4Z

Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

Інші пропозиції RM4Z

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	RM 4Z	Sanken Electric USA Inc.	Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RM4Z	EIC Semiconductor	SILICON RECTIFIER DIODES	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн.

RM 4Z

Виробник: Sanken Electric USA Inc.
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RM4Z

Виробник: EIC Semiconductor
SILICON RECTIFIER DIODES

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1250 шт

В кошику од. на суму грн.