RM4Z
Виробник:
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RM4Z
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RM4Z
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RM4Z | Виробник : EIC Semiconductor |
 SILICON RECTIFIER DIODES |
товару немає в наявності |
|
 |
RM 4Z | Виробник : Sanken Electric Co. |
Diode 200V 3A 2-Pin |
товару немає в наявності |
|
 |
RM 4Z | Виробник : Sanken Electric USA Inc. |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |