SI2301BDS-T1-E3

SI2301BDS-T1-E3 Vishay Siliconix


si2301bds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.94 грн
6000+ 7.32 грн
9000+ 6.59 грн
30000+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301BDS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2301BDS-T1-E3 за ціною від 7.78 грн до 29.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.06 грн
132000+ 9.2 грн
264000+ 8.55 грн
396000+ 7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
589+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 589
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2301bds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
на замовлення 71514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.97 грн
13+ 21.92 грн
100+ 13.19 грн
500+ 11.46 грн
1000+ 7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2301BDST1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2301BDST1E3 Виробник : VISHAY 09+ SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2301bds.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT SI2301CDS-T1-GE3
товар відсутній
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3
Код товару: 28285
si2301bds.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SI2301BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Виробник : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2301BDS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній