Наименование: SI2301BDS-T1-E3

код товара: 28285
SI2301BDS-T1-E3

DOWNLOAD si2301bds.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3
код товара: 28285
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые P-канальные
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 700mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 375pF @ 6V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 10nC @ 4.5V; Vgs(th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 2.2A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236) под заказ 32897 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 700mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 375pF @ 6V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 10nC @ 4.5V; Vgs(th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 2.2A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236) под заказ 32897 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236); Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 700mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 375pF @ 6V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 10nC @ 4.5V; Vgs(th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 2.2A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V; FET Feature : Standard; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide под заказ 30000 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY SOT-23-3 (TO-236) Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.2 А Китай под заказ 222 шт
срок поставки 8-10 дней дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 'VISHAY' 'Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R'
количество в упаковке: 3000 шт
под заказ 48000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY 09+ под заказ 34018 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Vishay Semiconductors MOSFET 20V 2.0A 0.9W под заказ 16677 шт
срок поставки 14-20 дня (дней)
1+ 22.67 грн
10+ 15.46 грн
100+ 10.47 грн
500+ 8.4 грн
3000+ 5.73 грн
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY под заказ 9000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY 0616+ под заказ 8930 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI2301BDST1E3 под заказ 5650 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI2301BDST1E3 VISHAY под заказ 5650 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI2301BDST1E3 VISHAY 09+ SOP под заказ 5000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY 09+ SOP под заказ 2500 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 под заказ 1162 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 VISHAY под заказ 2378 шт
срок поставки 24-31 дня (дней)
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS MOSFET, P, SOT-23 товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание SI2301BDS-T1-E3

Цена SI2301BDS-T1-E3

от 5.73 грн до 22.67 грн
Asers Shop ©