| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 748+ | 19.59 грн |
| 776+ | 18.89 грн |
| 1000+ | 18.27 грн |
| 2500+ | 17.10 грн |
| 5000+ | 15.41 грн |
| 10000+ | 14.42 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
748 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2301BDS-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI2301BDS-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2301BDST1E3 | VISHAY |
на замовлення 5650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2301BDST1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)