Продукція > VISHAY > SI2301BDS-T1-E3

SI2301BDS-T1-E3 Vishay

Name: SI2301BDS-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: 18453009-5
Price: 12181.68 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 29901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
504+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 504

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2301BDS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2301BDS-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI2301BDS-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V	на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2301BDST1E3	Виробник : VISHAY		на замовлення 5650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2301BDST1E3	Виробник : VISHAY	09+ SOP	на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI2301BDS-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI2301BDS-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI2301BDS-T1-E3	Виробник : VISHAY	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 0.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -10A кількість в упаковці: 3000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI2301BDS-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI2301BDS-T1-E3	Виробник : Vishay Semiconductors	MOSFETs RECOMMENDED ALT SI23	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI2301BDS-T1-E3	Виробник : VISHAY	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 0.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -10A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.