Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2319CDS-T1-GE3
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2319cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.84 грн
6000+12.30 грн
9000+11.28 грн
15000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI2319CDS-T1-GE3 за ціною від 11.56 грн до 63.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2319cd.pdf Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 373495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.86 грн
500+16.78 грн
1000+13.75 грн
5000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+27.59 грн
29+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.61 грн
12+34.28 грн
50+18.52 грн
138+17.57 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2319cd.pdf Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 373495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.03 грн
23+37.25 грн
100+24.86 грн
500+16.78 грн
1000+13.75 грн
5000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 19703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.19 грн
10+34.91 грн
100+22.59 грн
500+16.22 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2319cd.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 50065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.63 грн
10+37.84 грн
100+21.94 грн
500+16.79 грн
1000+14.90 грн
3000+12.33 грн
6000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.13 грн
10+42.71 грн
50+22.22 грн
138+21.09 грн
500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1GE3 MOSFET 40V 4.4A (20A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.