Продукція > VISHAY > SI2319CDS-T1-GE3
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm.

Інші пропозиції SI2319CDS-T1-GE3 за ціною від 68.99 грн до 68.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1GE3 MOSFET 40V 4.4A (20A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1GE3
MOSFET 40V 4.4A (20A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.