SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.85 грн |
| 6000+ | 13.13 грн |
| 9000+ | 12.53 грн |
| 15000+ | 11.13 грн |
| 21000+ | 10.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI2319CDS-T1-GE3 за ціною від 12.18 грн до 62.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2319CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2319CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2319CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 365208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2319CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 365208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2319CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 44109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2319CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V |
на замовлення 26418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2319CDS-T1GE3 | MOSFET 40V 4.4A (20A pulse), P Channel SOT-23-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI2319CDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI2319CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SI2319CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2319CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2319CDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |