Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2319CDS-T1-GE3
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2319cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.23 грн
6000+11.70 грн
9000+11.17 грн
15000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI2319CDS-T1-GE3 за ціною від 10.96 грн до 62.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.93 грн
6000+17.27 грн
9000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.28 грн
6000+17.60 грн
9000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.50 грн
500+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2319cd.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 44109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.28 грн
10+35.73 грн
100+20.25 грн
500+15.50 грн
1000+13.97 грн
3000+11.87 грн
6000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.77 грн
10+33.21 грн
100+21.48 грн
500+15.42 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cd.pdf Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 267303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.40 грн
21+38.94 грн
100+25.25 грн
500+17.02 грн
1000+14.18 грн
5000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1GE3 MOSFET 40V 4.4A (20A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
9+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+18.93 грн
6000+17.27 грн
9000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.28 грн
6000+17.60 грн
9000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
369+38.50 грн
500+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 44109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+53.28 грн
10+35.73 грн
100+20.25 грн
500+15.50 грн
1000+13.97 грн
3000+11.87 грн
6000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.77 грн
10+33.21 грн
100+21.48 грн
500+15.42 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 267303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+62.40 грн
21+38.94 грн
100+25.25 грн
500+17.02 грн
1000+14.18 грн
5000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1GE3
MOSFET 40V 4.4A (20A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
9+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.