Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2319CDS-T1-GE3
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2319cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.32 грн
6000+11.78 грн
9000+11.25 грн
15000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm.

Інші пропозиції SI2319CDS-T1-GE3 за ціною від 14.00 грн до 68.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.84 грн
6000+17.20 грн
9000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.19 грн
6000+17.52 грн
9000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.33 грн
500+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.17 грн
10+33.45 грн
100+21.64 грн
500+15.53 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2319cd.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 44109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 135594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 135594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1GE3 MOSFET 40V 4.4A (20A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.84 грн
6000+17.20 грн
9000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.19 грн
6000+17.52 грн
9000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
369+38.33 грн
500+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.17 грн
10+33.45 грн
100+21.64 грн
500+15.53 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 44109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 135594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 135594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1GE3
MOSFET 40V 4.4A (20A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.