SI2365EDS-T1-GE3

Код товара: 166536
Производитель:
Транзисторы - Полевые P-канальные

htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание SI2365EDS-T1-GE3

Цена SI2365EDS-T1-GE3 от 3.21 грн до 348.4 грн

SI2365EDS-T1-GE3
SI2365EDS-T1-GE3
Производитель: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Base Part Number: SI2365
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: TO-236
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 27000 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
3000+ 4.09 грн
6000+ 3.91 грн
9000+ 3.21 грн
SI2365EDS-T1-GE3
SI2365EDS-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 26467 шт
срок поставки 7-21 дня (дней)
24+ 15.79 грн
31+ 12.02 грн
100+ 6.39 грн
500+ 5.01 грн
SI2365EDS-T1-GE3
Производитель: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 80 шт
срок поставки 6-21 дня (дней)
24+ 16.06 грн
34+ 9.9 грн
SI2365EDS-T1-GE3
SI2365EDS-T1-GE3
Производитель: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Base Part Number: SI2365
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: TO-236
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 29911 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
27+ 17.94 грн
37+ 12.84 грн
39+ 11.4 грн
100+ 6.01 грн
500+ 5.33 грн
1000+ 3.83 грн
SI2365EDS-T1-GE3
SI2365EDS-T1-GE3
Производитель: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Base Part Number: SI2365
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: TO-236
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Дополнительная плата за катушку в размере $7)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 83843 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
2+ 348.4 грн
11+ 46.69 грн
25+ 23.67 грн
100+ 9.08 грн
250+ 7.18 грн
500+ 5.49 грн
1000+ 4.11 грн
SI2365EDS-T1-GE3
Производитель: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
SI2365EDS-T1-GE3
Производитель: VISHAY
Material: SI2365EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
htmlspecialchars($datasheet_name) htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

С этим товаром покупают

Micro USB тип B гнездо, 5-контактов, SMD-монтаж (MX-105017-0001)
Код товара: 117327
htmlspecialchars($datasheet_name)
Micro USB тип B гнездо, 5-контактов, SMD-монтаж (MX-105017-0001)
Производитель: Molex
Разъемы, клеммники, соединители - USB, mini-USB, HDMI, DVI, VGA и т.п.
Описание: Micro USB тип B гнездо, 5-контактов
Тип: micro USB
Вилка/гнездо: Гнездо
Механический монтаж: на плату
Электрический монтаж: SMD
Ориентация в пространстве: Горизонтальный
207 шт - РАДИОМАГ-Киев
45 шт - РАДИОМАГ-Львов
5 шт - РАДИОМАГ-Харьков
19 шт - РАДИОМАГ-Одесса
197 шт - РАДИОМАГ-Днепр
644 шт - склад Киев
1+ 17 грн
10+ 15 грн
Возможные замены
Micro USB тип B гнездо, SMD-монтаж (MCR-B-S-RA-TSMT-EH1-T/R)
Код товара: 117323
Возможные замены
Micro USB тип B гнездо, 5-контактов, SMD-монтаж (47642-0001 Molex)
Код товара: 130672
BH-20R (ZL231-20KG) (KLS1-202-20-R-B) (вилка на плату)
Код товара: 22586
BH-20R (ZL231-20KG) (KLS1-202-20-R-B) (вилка на плату)
Производитель: CviLux, KLS
Разъемы, клеммники, соединители - Интерфейсные (D-SUB и др.)
Функциональное описание: Вилка на плату, угловая шаг 2,54мм 20 контактов (2х10), 3А, 250VAC
Вилка или розетка: Вилка
Кол-во контактов: 20
Серия: BH
Механический монтаж: На плату
Ориентация в пространстве: Угловой
5 шт - РАДИОМАГ-Киев
100 шт - РАДИОМАГ-Львов
100 шт - РАДИОМАГ-Харьков
100 шт - РАДИОМАГ-Одесса
100 шт - РАДИОМАГ-Днепр
602 шт - склад Киев
2+ 3.5 грн
10+ 2.9 грн
100+ 2.3 грн
1000+ 1.9 грн
11 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-11K-Hitano) (резистор SMD)
Код товара: 4102
htmlspecialchars($datasheet_name)
11 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-11K-Hitano) (резистор SMD)
Производитель: Hitano
SMD резисторы - 0805
Номинал: 11 kOhm
Точность: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uраб,V: 150 V
Типоразмер: 0805
1090 шт - РАДИОМАГ-Киев
1600 шт - РАДИОМАГ-Львов
210 шт - РАДИОМАГ-Харьков
3390 шт - РАДИОМАГ-Днепр
5380 шт - склад Киев
5000 шт - ожидается
100+ 0.11 грн
1000+ 0.08 грн
10000+ 0.06 грн
330 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-330R-Hitano) (резистор SMD)
Код товара: 3666
330 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-330R-Hitano) (резистор SMD)
Производитель: Hitano
SMD резисторы - 0805
Номинал: 330 Ohm
Точность: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uраб,V: 150 V
Типоразмер: 0805
5000 шт - РАДИОМАГ-Киев
5000 шт - РАДИОМАГ-Львов
5000 шт - РАДИОМАГ-Харьков
5000 шт - ожидается
100+ 0.09 грн
1000+ 0.07 грн
10000+ 0.04 грн