Продукція > VISHAY > SI2365EDS-T1-GE3
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3 Vishay


si2365eds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2365EDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI2365EDS-T1-GE3 за ціною від 4.54 грн до 34.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.18 грн
6000+5.12 грн
9000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2148573.pdf Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.05 грн
6000+6.15 грн
9000+5.82 грн
15000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.17 грн
1500+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.25 грн
6000+7.47 грн
9000+7.07 грн
15000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1155+10.62 грн
1194+10.27 грн
2500+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 1155
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2365eds.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 115986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.36 грн
22+16.53 грн
100+8.70 грн
1000+6.66 грн
3000+5.75 грн
9000+4.99 грн
24000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2365eds.pdf Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.70 грн
50+17.73 грн
100+11.20 грн
500+9.46 грн
1500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 17327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.73 грн
17+19.30 грн
100+12.15 грн
500+8.50 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2365eds.pdf SI2365EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.42 грн
150+7.38 грн
412+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3
Код товару: 166536
Додати до обраних Обраний товар

si2365eds.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.