на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2365EDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI2365EDS-T1-GE3 за ціною від 3.84 грн до 29.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A Gate charge: 36nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -20A |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V |
на замовлення 48916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 85815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A Gate charge: 36nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI2365EDS-T1-GE3 Код товару: 166536
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |