Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

si2365eds.pdf
Код товару: 166536
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI2365EDS-T1-GE3 за ціною від 4.16 грн до 29.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
6000+5.43 грн
9000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2148573.pdf Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.84 грн
1500+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.74 грн
6000+7.92 грн
9000+7.49 грн
15000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1155+12.06 грн
1194+11.67 грн
2500+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 1155
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2365eds.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 85815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.09 грн
28+11.65 грн
100+7.77 грн
500+7.01 грн
1000+5.90 грн
3000+4.44 грн
6000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.32 грн
19+16.31 грн
100+10.28 грн
500+7.19 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2365eds.pdf Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.49 грн
64+12.71 грн
100+10.36 грн
500+8.64 грн
1500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.68 грн
23+18.54 грн
50+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2365eds.pdf MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

FDS4935A
Код товару: 40550
1 Додати до обраних Обраний товар
fds4935a-datasheet.pdf
FDS4935A
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 7 А
Rds(on),Om: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Монтаж: SMD
у наявності: 147 шт
90 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Кнопка SWT-2/9,5 (KLS7-TS6601-H = 9,5)
Код товару: 36772
1 Додати до обраних Обраний товар
SWT-2xx.JPG
Кнопка SWT-2/9,5 (KLS7-TS6601-H = 9,5)
Виробник: KLS
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: THT
Розмір, mm: 6x6 mm
Висота кнопки, mm: 9,5 mm
Опис: Кнопка тактова виводна 6x6мм
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
у наявності: 1794 шт
1456 шт - склад
197 шт - РАДІОМАГ-Київ
105 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 4000 шт
4000 шт - очікується 15.08.2026
Кількість Ціна
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+1.90 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Контакты для Micro-Fit, гнездо (MX-43030-0001)
Код товару: 31293
Додати до обраних Обраний товар
Контакты для Micro-Fit, гнездо (MX-43030-0001)
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Mini-Fit та Micro-Fit
Опис: Micro-Fit; контакт; "мама"; 3мм; 24AWG; на провід; обтиск
Тип роз’єма: Micro-Fit
Монтаж: кабель
Роз’єм: контакти
товару немає в наявності
очікується: 12000 шт
12000 шт - очікується 30.05.2026
Кількість Ціна
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (low imp.) (EZV470M35RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Код товару: 23420
1 Додати до обраних Обраний товар
EZV_070829.pdf
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (low imp.) (EZV470M35RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
товару немає в наявності
очікується: 5000 шт
5000 шт - очікується
Кількість Ціна
7+3.00 грн
10+2.68 грн
100+2.47 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (резистор SMD)
Код товару: 3689
4 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 54200 шт
54200 шт - склад
Кількість Ціна
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.