Продукція > VISHAY > SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2365EDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 15802739-5
Price: 13470 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.49 грн
6000+	4.44 грн
9000+	4.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2365EDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI2365EDS-T1-GE3 за ціною від 4.59 грн до 34.82 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.13 грн
6000+	6.22 грн
9000+	5.89 грн
15000+	5.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.15 грн
6000+	6.47 грн
9000+	6.12 грн
15000+	5.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0010613193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 16428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	7.25 грн
1500+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1155+	10.62 грн
1194+	10.27 грн
2500+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 1155

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23

на замовлення 115986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	24.64 грн
22+	16.72 грн
100+	8.80 грн
1000+	6.73 грн
3000+	5.82 грн
9000+	5.05 грн
24000+	4.59 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 25217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
29+	30.05 грн
50+	17.94 грн
100+	11.33 грн
500+	9.57 грн
1500+	6.87 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V

на замовлення 17327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	33.11 грн
17+	19.53 грн
100+	12.29 грн
500+	8.60 грн
1000+	7.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

SI2365EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 3062 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	34.82 грн
150+	7.46 грн
412+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3
Код товару: 166536

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI2365EDS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.