Продукція > VISHAY > SI4116DY-T1-E3
SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3 Vishay

si4116dy.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
540+26.03 грн
549+25.62 грн
558+25.21 грн
567+23.92 грн
576+21.78 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4116DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc), Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI4116DY-T1-E3 за ціною від 20.56 грн до 50.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Vishay si4116dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Vishay si4116dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Vishay si4116dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.36 грн
29+26.03 грн
30+24.70 грн
100+22.51 грн
250+21.26 грн
500+20.91 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4116dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.03 грн
10+47.88 грн
100+40.00 грн
500+32.92 грн
1000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4116dy.pdf MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 VISHAY si4116dy.pdf
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DYT1E3 VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
SI4116DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
SI4116DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
SI4116DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+43.36 грн
29+26.03 грн
30+24.70 грн
100+22.51 грн
250+21.26 грн
500+20.91 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
SI4116DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.03 грн
10+47.88 грн
100+40.00 грн
500+32.92 грн
1000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
SI4116DY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
Виробник: VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.