| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.29 грн |
| 10+ | 39.55 грн |
| 500+ | 32.56 грн |
| 1000+ | 30.59 грн |
| 2500+ | 28.83 грн |
| 5000+ | 28.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4116DY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc), Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4116DY-T1-E3 за ціною від 32.77 грн до 51.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4116DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SOPackage / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | VISHAY |
|
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SI4116DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4116DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.54 грн |
| 10+ | 49.33 грн |
| 100+ | 41.21 грн |
| 500+ | 33.91 грн |
| 1000+ | 32.77 грн |
| SI4116DY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4116DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)