| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 540+ | 27.08 грн |
| 549+ | 26.65 грн |
| 558+ | 26.23 грн |
| 567+ | 24.88 грн |
| 576+ | 22.66 грн |
| 1000+ | 21.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
540 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4116DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4116DY-T1-E3 за ціною від 21.39 грн до 51.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4116DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4116DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4116DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4116DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4116DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4116DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4116DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.92 грн |
| 10+ | 42.13 грн |
| 500+ | 34.68 грн |
| 1000+ | 32.58 грн |
| 2500+ | 30.71 грн |
| 5000+ | 30.25 грн |
| SI4116DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.58 грн |
| SI4116DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 45.05 грн |
| SI4116DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 45.11 грн |
| 29+ | 27.08 грн |
| 30+ | 25.70 грн |
| 100+ | 23.42 грн |
| 250+ | 22.12 грн |
| 500+ | 21.76 грн |
| 1000+ | 21.39 грн |
| SI4116DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.47 грн |
| 10+ | 49.26 грн |
| 100+ | 41.15 грн |
| 500+ | 33.86 грн |
| 1000+ | 32.72 грн |
| SI4116DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





