Продукція > VISHAY > SI4116DY-T1-E3
SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3 Vishay

si4116dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
540+23.04 грн
549+22.68 грн
558+22.32 грн
567+21.17 грн
576+19.28 грн
1000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 540
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4116DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4116DY-T1-E3 за ціною від 19.50 грн до 54.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4116dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4116dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4116dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+41.13 грн
29+24.69 грн
30+23.43 грн
100+21.35 грн
250+20.16 грн
500+19.83 грн
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4116dy.pdf MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.38 грн
10+43.57 грн
500+35.87 грн
1000+33.69 грн
2500+31.75 грн
5000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4116dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.59 грн
10+52.24 грн
100+43.64 грн
500+35.92 грн
1000+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4116dy.pdf
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4116dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4116dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.