на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 540+ | 22.55 грн |
| 549+ | 22.19 грн |
| 558+ | 21.84 грн |
| 567+ | 20.72 грн |
| 576+ | 18.87 грн |
| 1000+ | 17.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4116DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4116DY-T1-E3 за ціною від 16.54 грн до 108.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4116DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4116DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4116DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4116DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4116DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 3411 шт: термін постачання 714-723 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4116DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4116DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 56nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 25V Drain current: 18A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SI4116DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 56nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 25V Drain current: 18A |
товару немає в наявності |