Si4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції Si4408DY-T1-E3 за ціною від 82.19 грн до 200.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Si4408DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SOCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V |
на замовлення 5832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
Si4408DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SI4114DY-E3 |
на замовлення 4624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI4408DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si4408DY-T1-E3 | VISHAY |
07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| Si4408DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.68 грн |
| 10+ | 153.26 грн |
| 100+ | 121.99 грн |
| 500+ | 96.87 грн |
| 1000+ | 82.19 грн |
| Si4408DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT SI4114DY-E3
MOSFET RECOMMENDED ALT SI4114DY-E3
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.41 грн |
| 10+ | 164.62 грн |
| 100+ | 113.82 грн |
| 500+ | 111.72 грн |
| SI4408DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| Si4408DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
07+ SO-8
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



