Si4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 79.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції Si4408DY-T1-E3 за ціною від 75.18 грн до 190.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Si4408DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V |
на замовлення 5832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
Si4408DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SI4114DY-E3 |
на замовлення 4624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4408DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| Si4408DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| Si4408DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| Si4408DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 21A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| Si4408DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 21A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |