Продукція > VISHAY SILICONIX > Si4408DY-T1-E3
Si4408DY-T1-E3

Si4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4408dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції Si4408DY-T1-E3 за ціною від 83.26 грн до 211.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si4408DY-T1-E3 Si4408DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4408dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.18 грн
10+155.26 грн
100+123.58 грн
500+98.13 грн
1000+83.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 Si4408DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4408dy.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT SI4114DY-E3
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.14 грн
10+173.44 грн
100+119.92 грн
500+117.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4408dy.pdf 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4408dy.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4408dy.pdf SI4408DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.