| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.22 грн |
| 10+ | 134.55 грн |
| 100+ | 98.68 грн |
| 250+ | 95.86 грн |
| 500+ | 86.69 грн |
| 1000+ | 78.24 грн |
| 5000+ | 76.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4423DY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI4423DY-T1-E3 за ціною від 70.42 грн до 202.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4423DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI4423DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4423DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.20 грн |
| 10+ | 133.62 грн |
| 100+ | 96.48 грн |
| 500+ | 75.17 грн |
| 1000+ | 70.42 грн |
| SI4423DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)