Продукція > VISHAY > SI4423DY-T1-E3
SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3 Vishay

si4423dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+118.85 грн
10+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4423DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4423DY-T1-E3 за ціною від 69.72 грн до 200.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4423DY-T1-E3 SI4423DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4423dy.pdf MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
на замовлення 5531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.25 грн
10+138.53 грн
100+101.59 грн
250+98.69 грн
500+89.26 грн
1000+80.55 грн
5000+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 SI4423DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4423dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.17 грн
10+132.28 грн
100+95.52 грн
500+74.42 грн
1000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 SI4423DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4423dy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 SI4423DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4423dy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4423dy.pdf SI4423DY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 SI4423DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4423dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.