на замовлення 5531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.87 грн |
| 10+ | 143.77 грн |
| 100+ | 105.43 грн |
| 250+ | 102.42 грн |
| 500+ | 92.63 грн |
| 1000+ | 83.59 грн |
| 5000+ | 82.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4423DY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI4423DY-T1-E3 за ціною від 72.35 грн до 207.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4423DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V |
на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4423DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
SI4423DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI4423DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SI4423DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4423DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI4423DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 175nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -50A |
товару немає в наявності |