Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4425BDY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4425BDY-T1-E3 за ціною від 12.81 грн до 130.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4425BDY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4425BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4425BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 11A 2.5W |
на замовлення 55815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4425BDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.81 грн |
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.20 грн |
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 155+ | 91.17 грн |
| 209+ | 67.32 грн |
| 500+ | 55.48 грн |
| 1000+ | 49.64 грн |
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 112.28 грн |
| 10+ | 91.72 грн |
| 100+ | 67.73 грн |
| 500+ | 53.83 грн |
| 1000+ | 46.24 грн |
| 2500+ | 40.53 грн |
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.08 грн |
| 10+ | 79.68 грн |
| 100+ | 53.53 грн |
| 500+ | 39.74 грн |
| 1000+ | 36.36 грн |
| SI4425BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 11A 2.5W
MOSFETs 30V 11A 2.5W
на замовлення 55815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4425BDYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)