Продукція > VISHAY > SI4425BDY-T1-E3
SI4425BDY-T1-E3

SI4425BDY-T1-E3 Vishay

si4425bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4425BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4425BDY-T1-E3 за ціною від 11.89 грн до 138.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4425bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Виробник : Vishay 72000.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4425bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+78.99 грн
209+58.33 грн
500+48.07 грн
1000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4425bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+104.22 грн
10+85.14 грн
100+62.88 грн
500+49.97 грн
1000+42.93 грн
2500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4425bd.pdf MOSFETs 30V 11A 2.5W
на замовлення 55815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.44 грн
10+94.37 грн
100+66.94 грн
500+56.76 грн
1000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.90 грн
10+85.08 грн
100+57.16 грн
500+42.44 грн
1000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4425bd.pdf P-MOSFET 8.8A 30V 1.5W 0.012Ω SI4425BDY-T1-E3 TSI4425bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4425bd.pdf SI4425BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.