SI4425BDY-T1-E3 Vishay Siliconix


si4425bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4425BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4425BDY-T1-E3 за ціною від 37.46 грн до 134.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4425bd.pdf MOSFETs 30V 11A 2.5W
на замовлення 55815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.65 грн
10+87.54 грн
100+62.10 грн
500+52.65 грн
1000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.00 грн
10+82.08 грн
100+55.14 грн
500+40.94 грн
1000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDYT1E3 VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 si4425bd.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 11A 2.5W
на замовлення 55815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+112.65 грн
10+87.54 грн
100+62.10 грн
500+52.65 грн
1000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 si4425bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.00 грн
10+82.08 грн
100+55.14 грн
500+40.94 грн
1000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.