на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 34.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4425BDY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4425BDY-T1-E3 за ціною від 30.43 грн до 132.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4425BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4425BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4425BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4425BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4425BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4425BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 11A 2.5W |
на замовлення 55815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4425BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4425BDY-T1-E3 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 8.8A 30V 1.5W 0.012Ω SI4425BDY-T1-E3 TSI4425bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI4425BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI4425BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A; 0.9W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 0.9W Case: SO8 On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4425BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -50A; 0.9W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 0.9W Case: SO8 On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |