Si4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.91 грн |
| 10+ | 130.06 грн |
| 100+ | 90.43 грн |
| 500+ | 72.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції Si4430BDY-T1-E3 за ціною від 61.63 грн до 196.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Si4430BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 20A 0.0045Ohm |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Si4430BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SI4430BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| Si4430BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
SI4430BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI4430BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4430BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
Si4430BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| Si4430BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |