Продукція > VISHAY SILICONIX > Si4430BDY-T1-E3
Si4430BDY-T1-E3

Si4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4430bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.92 грн
10+103.15 грн
100+79.01 грн
500+58.54 грн
1000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції Si4430BDY-T1-E3 за ціною від 64.30 грн до 142.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si4430BDY-T1-E3 Si4430BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4430bd.pdf MOSFETs 30V 20A 0.0045Ohm
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.48 грн
10+113.37 грн
100+70.48 грн
500+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4430bd.pdf
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4430bd.pdf 09+
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-E3 SI4430BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4430bd.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-E3 SI4430BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4430bd.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4430BDY-T1-E3 SI4430BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4430bd.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4430bd.pdf SI4430BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3 Si4430BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4430bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.