Продукція > VISHAY > SI4431BDY-T1-E3
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3 Vishay


si4431bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4431BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4431BDY-T1-E3 за ціною від 21.48 грн до 80.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.22 грн
5000+ 24.04 грн
12500+ 22.94 грн
25000+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.45 грн
5000+ 25.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.01 грн
5000+ 28.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 39139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.98 грн
10+ 49.91 грн
100+ 38.84 грн
500+ 30.9 грн
1000+ 25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.09 грн
8+ 45.46 грн
22+ 36.35 грн
60+ 34.37 грн
500+ 33.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4431bd.pdf MOSFET 30V (D-S) 7.5A
на замовлення 16109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.16 грн
10+ 55.55 грн
100+ 37.59 грн
500+ 31.87 грн
1000+ 25.96 грн
2500+ 25.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.51 грн
5+ 56.64 грн
22+ 43.62 грн
60+ 41.24 грн
500+ 40.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4431BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Si4431BDY-T1-E3
Код товару: 127262
si4431bd.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній