Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > Si4431BDY-T1-E3

Si4431BDY-T1-E3

si4431bd.pdf
Код товару: 127262
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції Si4431BDY-T1-E3 за ціною від 32.07 грн до 128.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+86.40 грн
223+62.65 грн
500+51.17 грн
1000+48.49 грн
2500+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+128.98 грн
10+86.93 грн
100+63.03 грн
500+49.65 грн
1000+45.18 грн
2500+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4431bd.pdf MOSFETs 30V (D-S) 7.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.