Продукція > VISHAY > SI4431BDY-T1-E3
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3 Vishay

si4431bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4431BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4431BDY-T1-E3 за ціною від 29.02 грн до 120.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+75.53 грн
223+54.77 грн
500+44.73 грн
1000+42.39 грн
2500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -30A
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.05 грн
10+60.31 грн
22+42.82 грн
60+40.44 грн
500+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.46 грн
10+75.16 грн
22+51.38 грн
60+48.53 грн
500+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+120.81 грн
10+81.42 грн
100+59.04 грн
500+46.50 грн
1000+42.31 грн
2500+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4431bd.pdf MOSFETs 30V (D-S) 7.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.