на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 22.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4431BDY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI4431BDY-T1-E3 за ціною від 29.79 грн до 124.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4431BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4431BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 0.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4431BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 0.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 685 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4431BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4431BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI4431BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4431BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI4431BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V (D-S) 7.5A |
товару немає в наявності |