Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI4434DY-T1-E3
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3 Vishay Semiconductors

si4434dy.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+257.38 грн
10+170.22 грн
100+105.72 грн
500+87.40 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4434DY-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4434DY-T1-E3 за ціною від 90.95 грн до 283.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.87 грн
10+180.20 грн
100+126.93 грн
500+97.80 грн
1000+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+168.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 VISHAY si4434dy.pdf
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DYT1E3 VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+283.87 грн
10+180.20 грн
100+126.93 грн
500+97.80 грн
1000+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
Виробник: VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.