Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4434DY-T1-E3
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4434dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+89.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4434DY-T1-E3 за ціною від 85.26 грн до 272.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4434dy.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+135.23 грн
108+113.88 грн
109+112.86 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4434dy.pdf MOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.65 грн
10+177.67 грн
100+110.35 грн
500+91.22 грн
1000+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.17 грн
10+171.43 грн
100+119.94 грн
500+91.90 грн
1000+85.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4434dy.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4434dy.pdf
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4434dy.pdf MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4434dy.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4434dy.pdf SI4434DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.