SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 9978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 86.46 грн |
| 5000+ | 80.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4434DY-T1-E3 за ціною від 81.91 грн до 212.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4434DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4434DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V |
на замовлення 9978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4434DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4434DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4434DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4434DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
SI4434DY-T1-E3 Код товару: 164124 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
SI4434DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4434DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 3A; Idm: 30A; 3.1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 3A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 162mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI4434DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 3A; Idm: 30A; 3.1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 3A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 162mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |