SI4434DY-T1-E3
Код товару: 164124
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SI4434DY-T1-E3 за ціною від 85.34 грн до 279.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4434DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4434DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4434DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4434DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SI4434DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI4434DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SI4434DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI4434DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 3A; Idm: 30A; 3.1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 3A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 162mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |