на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 76.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4455DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI4455DY-T1-E3 за ціною від 56.66 грн до 132.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4455DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET -150V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 12050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4455DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
на замовлення 3548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4455DY-T1-E3 |
|
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4455DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI4455DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI4455DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI4455DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -15A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.8A On-state resistance: 315mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -15A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SI4455DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI4455DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -15A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.8A On-state resistance: 315mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -15A Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |