SI4455DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 59.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4455DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI4455DY-T1-E3 за ціною від 49.73 грн до 163.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4455DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4455DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 9055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4455DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
на замовлення 5588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4455DY-T1-E3 |
|
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI4455DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI4455DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4455DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4455DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -15A Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -15A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.8A On-state resistance: 315mΩ кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI4455DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.8A; Idm: -15A Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -15A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.8A On-state resistance: 315mΩ |
товару немає в наявності |