Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4455DY-T1-E3
SI4455DY-T1-E3

SI4455DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4455dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4455DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI4455DY-T1-E3 за ціною від 44.66 грн до 151.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4455dy.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4455dy.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.63 грн
10+99.73 грн
100+75.16 грн
500+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4455dy.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.26 грн
10+105.71 грн
100+69.28 грн
500+60.78 грн
2500+48.71 грн
5000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 si4455dy.pdf
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4455dy.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4455dy.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.