SI4455DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4455DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4455DY-T1-E3 за ціною від 45.88 грн до 155.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4455DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4455DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 5823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4455DY-T1-E3 |
|
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4455DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4455DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.66 грн |
| 10+ | 102.47 грн |
| 100+ | 77.22 грн |
| 500+ | 62.61 грн |
| SI4455DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.41 грн |
| 10+ | 108.61 грн |
| 100+ | 71.19 грн |
| 500+ | 62.45 грн |
| 2500+ | 50.04 грн |
| 5000+ | 45.88 грн |
| SI4455DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)