Продукція > VISHAY > SI4464DY-T1-E3
SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3 Vishay

72051.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4464DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4464DY-T1-E3 за ціною від 41.41 грн до 166.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.57 грн
5000+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.59 грн
5000+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+90.87 грн
138+89.96 грн
192+64.67 грн
250+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.01 грн
10+97.36 грн
25+96.38 грн
100+66.81 грн
250+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4464dy.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.53 грн
10+95.96 грн
100+56.64 грн
500+52.62 грн
1000+51.07 грн
2500+43.19 грн
5000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.33 грн
10+102.70 грн
100+69.90 грн
500+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4464dy.pdf 05+
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.