SI4464DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 45.89 грн |
| 5000+ | 41.28 грн |
| 7500+ | 39.80 грн |
| 12500+ | 36.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4464DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4464DY-T1-E3 за ціною від 38.41 грн до 159.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4464DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 3146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4464DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V |
на замовлення 13284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4464DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4464DY-T1-E3 | VISHAY |
05+ |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4464DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.10 грн |
| 10+ | 87.54 грн |
| 100+ | 51.66 грн |
| 500+ | 48.00 грн |
| 1000+ | 46.59 грн |
| 2500+ | 39.40 грн |
| 5000+ | 38.41 грн |
| SI4464DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 13284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.38 грн |
| 10+ | 98.35 грн |
| 100+ | 66.76 грн |
| 500+ | 49.96 грн |
| 1000+ | 45.88 грн |
| SI4464DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4464DY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
05+
05+
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



