Продукція > VISHAY > SI4464DY-T1-E3
SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3 Vishay

si4464dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.15 грн
5000+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4464DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4464DY-T1-E3 за ціною від 37.39 грн до 153.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.28 грн
5000+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+94.32 грн
138+93.38 грн
192+67.13 грн
250+54.02 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4464dy.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.65 грн
10+85.20 грн
100+50.28 грн
500+46.72 грн
1000+45.34 грн
2500+38.35 грн
5000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.25 грн
10+101.06 грн
25+100.05 грн
100+69.35 грн
250+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.58 грн
10+94.83 грн
100+64.54 грн
500+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4464dy.pdf 05+
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.