SI4464DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.44 грн |
| 5000+ | 39.98 грн |
| 7500+ | 38.54 грн |
| 12500+ | 35.46 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4464DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.
Інші пропозиції SI4464DY-T1-E3 за ціною від 44.43 грн до 154.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4464DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V |
на замовлення 13284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4464DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI4464DY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI4464DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4464DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 47.61 грн |
| 5000+ | 47.42 грн |
| SI4464DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 47.66 грн |
| 5000+ | 47.47 грн |
| SI4464DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 137+ | 104.06 грн |
| 138+ | 103.02 грн |
| 192+ | 74.06 грн |
| 250+ | 59.60 грн |
| SI4464DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 147.51 грн |
| 10+ | 104.06 грн |
| 25+ | 103.02 грн |
| 100+ | 71.41 грн |
| 250+ | 55.18 грн |
| SI4464DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 13284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 154.35 грн |
| 10+ | 95.24 грн |
| 100+ | 64.65 грн |
| 500+ | 48.38 грн |
| 1000+ | 44.43 грн |
| SI4464DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4464DY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4464DY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4464DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)