SI4465ADY-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.20 грн |
| 10+ | 122.67 грн |
| 100+ | 85.34 грн |
| 250+ | 81.66 грн |
| 500+ | 71.88 грн |
| 1000+ | 60.99 грн |
| 2500+ | 59.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4465ADY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm.
Інші пропозиції SI4465ADY-T1-E3 за ціною від 46.55 грн до 212.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 8V 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm |
на замовлення 10875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI4465ADYT1E3 | Виробник : SIVHAY |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -13.7A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -13.7A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |