SI4465ADY-T1-E3

SI4465ADY-T1-E3 Vishay Semiconductors


si4465ad.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
на замовлення 6899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.07 грн
10+125.83 грн
100+87.53 грн
250+83.76 грн
500+73.72 грн
1000+62.56 грн
2500+60.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4465ADY-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm.

Інші пропозиції SI4465ADY-T1-E3 за ціною від 48.83 грн до 211.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4465ADY-T1-E3 SI4465ADY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4465ad.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.44 грн
10+125.69 грн
100+86.32 грн
500+65.20 грн
1000+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 SI4465ADY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 10843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+211.63 грн
10+136.29 грн
100+93.12 грн
500+64.30 грн
1000+54.71 грн
5000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 SI4465ADY-T1-E3 Виробник : Vishay si4465ad.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADYT1E3 Виробник : SIVHAY
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4465ad.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 SI4465ADY-T1-E3 Виробник : Vishay si4465ad.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4465ad.pdf SI4465ADY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 SI4465ADY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4465ad.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.