Технічний опис SI4724CY-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный N-Channel Synchronous MOSFETs with Break-Before-Make, (250 kHz to 1 MHz, high side (0.0375 @ VDD = 4.5 V), Low side (0.029 @ VDD = 4.5 V), Integrated Schottky, SO-16 package.... Транзистори Корпус: SOIC-16 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4724CY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4724CY-T1-E3 | Vishay BC Components |
Транзистор полевой N-канальный N-Channel Synchronous MOSFETs with Break-Before-Make, (250 kHz to 1 MHz, high side (0.0375 @ VDD = 4.5 V), Low side (0.029 @ VDD = 4.5 V), Integrated Schottky, SO-16 package.... Транзистори Корпус: SOIC-16 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
SI4724CY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:2 16SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4724CY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay BC Components
Транзистор полевой N-канальный N-Channel Synchronous MOSFETs with Break-Before-Make, (250 kHz to 1 MHz, high side (0.0375 @ VDD = 4.5 V), Low side (0.029 @ VDD = 4.5 V), Integrated Schottky, SO-16 package.... Транзистори Корпус: SOIC-16 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
Транзистор полевой N-канальный N-Channel Synchronous MOSFETs with Break-Before-Make, (250 kHz to 1 MHz, high side (0.0375 @ VDD = 4.5 V), Low side (0.029 @ VDD = 4.5 V), Integrated Schottky, SO-16 package.... Транзистори Корпус: SOIC-16 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI4724CY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:2 16SOIC
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:2 16SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



