Продукція > VISHAY > SI4835DDY-T1-E3
SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3 Vishay


si4835ddy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4835DDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4835DDY-T1-E3 за ціною від 29.48 грн до 86.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.81 грн
5000+ 30.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.3 грн
5000+ 32.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4835DDY-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 30mΩ
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+72.46 грн
9+ 42.18 грн
25+ 32.6 грн
69+ 30.52 грн
500+ 29.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.52 грн
10+ 61.88 грн
100+ 48.15 грн
500+ 38.3 грн
1000+ 31.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4835ddy.pdf MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.46 грн
10+ 68.77 грн
100+ 46.55 грн
500+ 39.42 грн
1000+ 32.16 грн
2500+ 30.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4835DDY-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 30mΩ
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.96 грн
5+ 52.56 грн
25+ 39.12 грн
69+ 36.63 грн
500+ 35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4835ddy.pdf P-MOSFET 13A 30V 5,6W SI4835DDY SMD TSI4835ddy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
SI4835DDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній