Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4835DDY-T1-E3
SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4835ddy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

Інші пропозиції SI4835DDY-T1-E3 за ціною від 36.07 грн до 129.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.71 грн
189+75.21 грн
250+66.12 грн
500+58.41 грн
1000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 VISHAY SI4835DDY-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.54 грн
10+71.30 грн
100+48.42 грн
250+42.62 грн
500+39.05 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.41 грн
10+82.98 грн
100+56.66 грн
500+42.09 грн
1000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4835ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 Siliconix si4835ddy.pdf P-MOSFET 13A 30V 5,6W SI4835DDY SMD TSI4835ddy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDYT1E3 VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+110.71 грн
189+75.21 грн
250+66.12 грн
500+58.41 грн
1000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3.pdf
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.54 грн
10+71.30 грн
100+48.42 грн
250+42.62 грн
500+39.05 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.41 грн
10+82.98 грн
100+56.66 грн
500+42.09 грн
1000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 13A 30V 5,6W SI4835DDY SMD TSI4835ddy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.