Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4835DDY-T1-E3
SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4835ddy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4835DDY-T1-E3 за ціною від 32.57 грн до 132.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4835DDY-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.05 грн
9+46.59 грн
25+42.91 грн
26+36.02 грн
70+33.72 грн
500+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4835DDY-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.06 грн
5+58.06 грн
25+51.50 грн
26+43.22 грн
70+40.46 грн
500+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4835ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 6407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.02 грн
10+81.22 грн
100+49.14 грн
500+41.64 грн
1000+38.03 грн
2500+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.90 грн
10+85.22 грн
100+58.19 грн
500+43.23 грн
1000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4835ddy.pdf P-MOSFET 13A 30V 5,6W SI4835DDY SMD TSI4835ddy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.