SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix


si4835ddy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI4835DDY-T1-E3 за ціною від 33.10 грн до 139.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4835ddy.pdf Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+56.13 грн
500+41.30 грн
1000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4835ddy.pdf Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.16 грн
10+83.91 грн
100+56.13 грн
500+41.30 грн
1000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.19 грн
10+84.12 грн
100+57.44 грн
500+42.67 грн
1000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4835ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.31 грн
10+87.53 грн
100+51.25 грн
500+40.57 грн
1000+37.08 грн
2500+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4835ddy.pdf P-MOSFET 13A 30V 5,6W SI4835DDY SMD TSI4835ddy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.