SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 40.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4835DDY-T1-E3 за ціною від 34.82 грн до 138.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4835DDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A Polarisation: unipolar Drain current: -7.7A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 3.6W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -50A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4835DDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A Polarisation: unipolar Drain current: -7.7A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 3.6W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -50A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 6178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4835DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V |
на замовлення 4728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4835DDY-T1-E3 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 13A 30V 5,6W SI4835DDY SMD TSI4835ddy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI4835DDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI4835DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4835DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |